Zobrazeno 1 - 5 of 5 pro vyhledávání: '"Isaac, R. D."'
1
Akademický článek
Barrier heights at the polycrystalline silicon-SiO2 interface.
Autor: Hickmott, T. W., Isaac, R. D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; May1981, Vol. 52 Issue 5, p3464-3475, 12p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Arsenic segregation to silicon/silicon oxide interfaces.
Autor: Wong, C. Y., Grovenor, C. R. M., Batson, P. E., Isaac, R. D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/1/1985, Vol. 58 Issue 3, p1259, 4p, 2 Black and White Photographs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
The poly-single crystalline silicon interface.
Autor: Wong, C. Y., Michel, A. E., Isaac, R. D., Kastl, R. H., Mader, S. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Feb1984, Vol. 55 Issue 4, p1131-1134, 4p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
The behavior of boron (also arsenic) in bilayers of polycrystalline silicon and tungsten disilicide.
Autor: Jahnel, F., Biersack, J., Crowder, B. L., d'Heurle, F. M., Fink, D., Isaac, R. D., Lucchese, C. J., Petersson, C. S.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1982, Vol. 53 Issue 11, p7372-7378, 7p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Simple persistent switch for superconducting solenoids.
Autor: Isaac, R. D., Schwarz, R. B.
Publikováno v: Review of Scientific Instruments; May1975, Vol. 46 Issue 5, p638-638, 1p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje