Zobrazeno 1 - 10 of 586 pro vyhledávání: '"Irmscher, K."'
1
Report
Fingerprints of carbon defects in vibrational spectra of gallium nitride (GaN) consider-ing the isotope effect
Autor: Gamov, I., Lyons, J. L., Gärtner, G., Irmscher, K., Richter, E., Weyers, M., Wagner, M. R., Bickermann, M.
This work examines the carbon defects associated with recently reported and novel peaks of infrared (IR) absorption and Raman scattering appearing in GaN crystals at carbon ($^{12}C$) doping in the range of concentrations from $3.2*10^{17}$ to $3.5*1
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/2209.10893
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Silicon diffusion in AlN.
Autor: Bonito Oliva, V., Mangelinck, D., Hagedorn, S., Bracht, H., Irmscher, K., Hartmann, C., Vennéguès, P., Albrecht, M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/7/2023, Vol. 134 Issue 9, p1-9, 9p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
A carbon-doping related luminescence band in GaN revealed by below bandgap excitation.
Autor: Zimmermann, F., Beyer, J., Beyer, F. C., Gärtner, G., Gamov, I., Irmscher, K., Richter, E., Weyers, M., Heitmann, J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/7/2021, Vol. 130 Issue 5, p1-7, 7p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Carbon doping of GaN: Proof of the formation of electrically active tri-carbon defects.
Autor: Gamov, I., Richter, E., Weyers, M., Gärtner, G., Irmscher, K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/29/2020, Vol. 127 Issue 20, p1-8, 8p, 1 Diagram, 3 Charts, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Carbon pair defects in aluminum nitride.
Autor: Gamov, I., Hartmann, C., Wollweber, J., Dittmar, A., Straubinger, T., Bickermann, M., Kogut, I., Fritze, H., Irmscher, K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/7/2019, Vol. 126 Issue 21, p1-7, 7p, 1 Chart, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Electroluminescence of Cr3+ and pseudo-Stark effect in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes.
Autor: Fiedler, A., Galazka, Z., Irmscher, K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/7/2019, Vol. 126 Issue 21, p1-7, 7p, 1 Diagram, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Indium incorporation in homoepitaxial β-Ga2O3 thin films grown by metal organic vapor phase epitaxy.
Autor: Bin Anooz, S., Popp, A., Grüneberg, R., Wouters, C., Schewski, R., Schmidbauer, M., Albrecht, M., Fiedler, A., Ramsteiner, M., Klimm, D., Irmscher, K., Galazka, Z., Wagner, G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/21/2019, Vol. 125 Issue 19, pN.PAG-N.PAG, 10p, 1 Color Photograph, 2 Black and White Photographs, 2 Charts, 13 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje