Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Ip, Chi Ian"'
Autor:
Nguyen, Khanh Duy, Lee, Woojoo, Dang, Jianchen, Wu, Tongyao, Berruto, Gabriele, Yan, Chenhui, Ip, Chi Ian Jess, Lin, Haoran, Gao, Qiang, Lee, Seng Huat, Yan, Binghai, Liu, Chaoxing, Mao, Zhiqiang, Zhang, Xiao-Xiao, Yang, Shuolong
The indirect exchange interaction between local magnetic moments via surface electrons has been long predicted to bolster the surface ferromagnetism in magnetic topological insulators (MTIs), which facilitates the quantum anomalous Hall effect. This
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.00281
Autor:
Ip, Chi Ian Jess, Gao, Qiang, Nguyen, Khanhy Du, Yan, Chenhui, Yan, Gangbin, Hoenig, Eli, Marchese, Thomas S., Zhang, Minghao, Lee, Woojoo, Rokni, Hossein, Meng, Ying Shirley, Liu, Chong, Yang, Shuolong
Publikováno v:
Nano Letters 2024
Ultrathin topological insulator membranes are building blocks of exotic quantum matter. However, traditional epitaxy of these materials does not facilitate stacking in arbitrary orders, while mechanical exfoliation from bulk crystals is also challeng
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2405.13228
Bi-stable objects that are pushed between states by an external field are often used as a simple model to study memory formation in disordered materials. Such systems, called hysterons, are typically treated quasistatically. Here, we generalize hyste
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2210.13341
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Khanh Duy Nguyen1, Woojoo Lee1, Jianchen Dang2, Tongyao Wu2, Berruto, Gabriele1, Chenhui Yan1, Ip, Chi Ian Jess1, Haoran Lin1, Qiang Gao1, Seng Huat Lee3, Binghai Yan4, Chaoxing Liu3, Zhiqiang Mao3, Xiao-Xiao Zhang2, Shuolong Yang1 yangsl@uchicago.edu
Publikováno v:
Science Advances. 8/9/2024, Vol. 10 Issue 32, p1-9. 9p.
