Zobrazeno 1 - 10
of 839
pro vyhledávání: '"Ion lithography"'
Publikováno v:
In Sensors and Actuators: A. Physical 1 October 2019 297
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mariapompea Cutroneo, Vladimir Hnatowicz, Anna Mackova, Petr Malinsky, Romana Miksova, Giovanni Ceccio, Jan Maly, Jiří Smejkal, Marcel Štofik, Vladimir Havranek
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 12, Iss 22, p 3927 (2022)
Routinely, in membrane technology, the decay from radioactive particles or the bombardment of ions with MeV energy per nucleon have been employed for the production of narrow and long pores in membranes. Presently, the ion lithography is proposed to
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8bd03cabd13b42bdbc21a9b9f5d8a2e8
Autor:
Laviano, Francesco a, b, ⁎, Ghigo, Gianluca a, b, Mezzetti, Enrica a, b, Hollmann, Eugen c, Wördenweber, Roger c
Publikováno v:
In Physica C: Superconductivity and its applications 2010 470(19):844-847
Autor:
Su, Tingyu
Vertical aligned nanocomposites (VAN), formed by phase separation of two different materials, have been a novel platform to study heteroepitaxy. The perovskite-spinel system is one of the most popular VAN structures to study multiferroic coupling. Fo
Externí odkaz:
https://hdl.handle.net/1721.1/154025
This work is dedicated to the study of transport properties of solid-state nanopores. Nanopores with a diameter of 35-40 nm formed in a thin "free-standing" silicon nitride membrane of 300 nm thick. An experimental setup has been developed to study t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7bcd4500163d803d813b88037fbd976d
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B April 2007 257(1-2):777-781
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 2007 260(1):431-436
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2005 78:533-539