Zobrazeno 1 - 10
of 840
pro vyhledávání: '"Ion channeling"'
Autor:
Michael I. Current, Takuya Sakaguchi, Yoji Kawasaki, Viktor Samu, Anita Pongracz, Luca Sinko, Arpad Kerekes, Zsolt Durko
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 399-406 (2024)
This study uses photoluminescence (PL) and other carrier-recombination sensitive probes in combination with spreading resistance profiling (SRP), SIMS and IMSIL MC-calculations to monitor the ion range and damage levels in highly-channeled and random
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b5bbf6e15ee04f39adae11b654873533
Autor:
Ewelina Kucal, Przemysław Jóźwik, Cyprian Mieszczyński, René Heller, Shavkat Akhmadaliev, Christian Dufour, Konrad Czerski
Publikováno v:
Materials, Vol 17, Iss 12, p 2843 (2024)
Silicon carbide has been considered a material for use in the construction of advanced high-temperature nuclear reactors. However, one of the most important design issues for future reactors is the development of structural defects in SiC under a str
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/efe96d445c244bc7a06f9de6e5504224
Autor:
Shiva Choupanian, Wolfhard Möller, Martin Seyring, Claudia Pacholski, Elke Wendler, Andreas Undisz, Carsten Ronning
Publikováno v:
Advanced Materials Interfaces, Vol 11, Iss 1, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract Ion irradiation can cause burrowing of nanoparticles in substrates, strongly depending on the material properties and irradiation parameters. In this study, it is demonstrated that the sinking process can be accomplished with ion irradiation
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1190088dc6d3463087fd3d70a2c26f68
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Research Letters, Vol 6, Iss 9, Pp 531-536 (2018)
Ion irradiation of KTaO3 has been performed to investigate the evolution of irradiation damage with and without significant electronic energy deposition. Damage accumulation under irradiation with 2 MeV Au ions follows a direct-impact/defect-stimulat
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9c0c2556c5294970b425db01b4ef1f75
Publikováno v:
Nano Research 16(2023), 1522-1526
Focused ion beam (FIB) processing with low-energy ions has become a standard technique for the manipulation of nanostructures. Many underlying ion beam effects that deviate from conventional high-energy ion irradiation of bulk systems are considered
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::be0701e6844d3fd814c1b5b0252ff6e8
https://doi.org/10.1007/s12274-022-4723-6
https://doi.org/10.1007/s12274-022-4723-6