Výsledky vyhledávání - "Ion beam mixing"

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Influence of X Cation Covalence in the Formation of Ni-O-X Mixed Oxides by Reactive Ion Beam Mixing of Ni/X Interfaces

Publikováno v: Crystals, Vol 13, Iss 2, p 345 (2023)

The reaction of the Ni/X interfaces (X = Si or Cr) with O2+ ions at low energy (3 keV) was studied using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and factor analysis (FA). It was found that low ion doses lead to the formation of a NiO thin film on the

Externí odkaz: https://doaj.org/article/8941b5030e4f45ffa0d2f742517ff403

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Site-controlled formation of single Si nanocrystals in a buried SiO2 matrix using ion beam mixing

Autor: Xiaomo Xu, Thomas Prüfer, Daniel Wolf, Hans-Jürgen Engelmann, Lothar Bischoff, René Hübner, Karl-Heinz Heinig, Wolfhard Möller, Stefan Facsko, Johannes von Borany, Gregor Hlawacek

Publikováno v: Beilstein Journal of Nanotechnology, Vol 9, Iss 1, Pp 2883-2892 (2018)

For future nanoelectronic devices – such as room-temperature single electron transistors – the site-controlled formation of single Si nanocrystals (NCs) is a crucial prerequisite. Here, we report an approach to fabricate single Si NCs via medium-

Externí odkaz: https://doaj.org/article/5156d91379fe4eba94329c4846b8921b

Zobrazit plný text záznamu

CMOS-compatible manufacturability of sub-15 nm Si/SiO2/Si nanopillars containing single Si nanodots for single electron transistor applications

Autor: Borany, Johannes von, Engelmann, Hans-Jürgen, Heinig, Karl-Heinz, Amat, Esteve, Hlawacek, Gregor, Klüpfel, Fabian J., Hübner, René, Möller, Wolfhard, Pourteau, Marie-Line, Rademaker, Guido, Rommel, Mathias, Baier, Leander, Pichler, Peter, Perez-Murano, Francesc, Tiron, Raluca

Publikováno v: Semiconductor Science and Technology 38(2023)5, 055011

This study addresses the complementary metal-oxide-semiconductor-compatible fabrication of vertically stacked Si/SiO2/Si nanopillars (NPs) with embedded Si nanodots (NDs) as key functional elements of a quantum-dot-based, gate-all-around single-elect

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::92ab2780b4dabe255fddb22255b644b8
https://www.hzdr.de/publications/Publ-34842-1

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

The Formation of the Nanosized Surface Layers of a Titanium Alloy by Ion-Beam Mixing of Carbon with N+ Ion Implantation

Autor: V. L. Vorob’ev, V. Ya. Bayankin, A. V. Syugaev, F. Z. Gil’mutdinov, P. V. Bykov

Publikováno v: Physics of Metals and Metallography. 121:460-465

The formation of nanoscale layers on the VT6 titanium alloy surface by ion-beam mixing of carbon with the N+ ion implantation is investigated in this work. Ion-beam mixing in the transition layer of a film–carbon system on the VT6 alloy surface has

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ad3c511bbd444ea9b75843dbd1650937
https://doi.org/10.1134/s0031918x20050142

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání