Zobrazeno 1 - 10
of 310
pro vyhledávání: '"Ion beam implantation"'
Publikováno v:
Chemical Engineering Journal Advances, Vol 15, Iss , Pp 100501- (2023)
Ion beam modification is a one-of-a-kind approach for engineering nanomaterials to change their chemical and physical properties. Ion beam engineering of metal oxide semiconductor nanoparticles has been performed to improve their optoelectronic prope
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cb3254630c6043c3aad4f628626fca59
Publikováno v:
Physics, Vol 4, Iss 2, Pp 383-393 (2022)
Ion implantation has played a significant role in semiconductor device fabrication and is growing in significance in the fabrication of Si photonic devices. In this paper, recent progress in the growth and characterization of Si and Ge quantum dots (
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f5261e2eb276464db95b845a5b641d74
Autor:
Tamara I. Dorofeeva, Marina V. Fedorischeva, Tatiana A. Gubaidulina, Oleg V. Sergeev, Alfred R. Sungatulin, Viktor P. Sergeev
Publikováno v:
Metals, Vol 13, Iss 8, p 1468 (2023)
In this work, the corrosion resistance of AISI 321 stainless steel is increased through. the two-stage implantation of oxygen ions and of both aluminum and boron ions together. During ion implantation, a modified layer with a thickness of about 200 n
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1935f760aff04d7c840d99feb312cb40
Autor:
Modrić-Šahbazović A., Novaković M., Schmidt E., Bibić N., Gazdić I., Ronning C., Rakočević Z.
Publikováno v:
Science of Sintering, Vol 52, Iss 2, Pp 207-217 (2020)
Low energy Ag ions were implanted into silicon and annealed at different temperatures in order to generate plasmonic active silicon hybrids. It was found that as the ion fluence of irradiation was increased, a monotonic decrease in the absorption
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/02df85d5ed664ee49e262ca7dd4eeb0e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
István Bányász, Istvan Rajta, Gyula U. L. Nagy, Nguyen Q. Khanh, Vladimír Havránek, Vaclav Vosecek, Miklós Fried, Zoltán Szabó, Miklós Veres, Roman Holomb, László Himics, Éva Tichy-Rács
Publikováno v:
Chemosensors, Vol 10, Iss 8, p 337 (2022)
Two methods were proposed and implemented for the fabrication of channel waveguides in an Er-doped Tellurite glass. In the first method, channel waveguides were fabricated by implanting 1.5 MeV and 3.5 MeV energy N+ ions through a special silicon mas
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9218f657265642b29beb91fba5d3b742
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Xu, Xiaomo
Silicon has been the fundamental material for most semiconductor devices. As Si devices continue to scale down, there is a growing need to gain a better understanding of the characteristics of Si-based nanostructures and to develop novel fabrication
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A90093
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A90093/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A90093/attachment/ATT-0/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.