Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Inyushkin, Alexander V."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Inyushkin, Alexander V, Taldenkov, Alexander N, Ager, Joel W, Haller, Eugene E, Riemann, Helge, Abrosimov, Nikolay V, Pohl, Hans-Joachim, Becker, Peter
Publikováno v:
Inyushkin, AV; Taldenkov, AN; Ager, JW; Haller, EE; Riemann, H; Abrosimov, NV; et al.(2018). Ultrahigh thermal conductivity of isotopically enriched silicon. Journal of Applied Physics, 123(9). doi: 10.1063/1.5017778. Lawrence Berkeley National Laboratory: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/7rb822x7
Journal of Applied Physics, vol 123, iss 9
Journal of Applied Physics, vol 123, iss 9
© 2018 Author(s). Most of the stable elements have two and more stable isotopes. The physical properties of materials composed of such elements depend on the isotopic abundance to some extent. A remarkably strong isotope effect is observed in the ph
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::94de5b33baa998fe8863aff0194bcecd
http://www.escholarship.org/uc/item/7rb822x7
http://www.escholarship.org/uc/item/7rb822x7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physics-Uspekhi; August 9, 2002, Vol. 45 Issue: 5 p527-552, 26p
Publikováno v:
Physics-Uspekhi; November 21, 2001, Vol. 44 Issue: 8 p785-811, 27p
Publikováno v:
Soviet Physics Uspekhi; 1991, Vol. 34 Issue 7, p1-1, 1p