Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"Intermediate semiconductor layer"'
Autor:
Nikita N. Yakovlev, Aleksei V. Almaev, Bogdan O. Kushnarev, Maksim G. Verkholetov, Maksim V. Poliakov, Mikhail M. Zinovev
Publikováno v:
Crystals, Vol 14, Iss 2, p 123 (2024)
Vertical Schottky barrier diodes based on an ion beam sputter (IBS)-deposited β-Ga2O3 film on a single-crystalline (2¯01) unintentionally doped (UID) β-Ga2O3 with a Ni contact were developed. To form ohmic Ti/Ni contacts, the IBS-Ga2O3/UID β-Ga2O
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/21128d7b1a2948d884242d7f405f6f8e
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 14, Iss 1, Pp 1-6 (2019)
Abstract The Al-doped effects on the band offsets of ZnO/β-Ga2O3 interfaces are characterized by X-ray photoelectron spectroscopy and calculated by first-principle simulations. The conduction band offsets vary from 1.39 to 1.67 eV, the valence band
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/50e1e2576e1e4133a41150df0d993dd7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ya-Wei Huan, Shun-Ming Sun, Chen-Jie Gu, Wen-Jun Liu, Shi-Jin Ding, Hong-Yu Yu, Chang-Tai Xia, David Wei Zhang
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 13, Iss 1, Pp 1-10 (2018)
Abstract Ultra-wide bandgap beta-gallium oxide (β-Ga2O3) has been attracting considerable attention as a promising semiconductor material for next-generation power electronics. It possesses excellent material properties such as a wide bandgap of 4.6
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a6ada104334646bd8368cba20ce476bd
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters
The Al-doped effects on the band offsets of ZnO/β-Ga2O3 interfaces are characterized by X-ray photoelectron spectroscopy and calculated by first-principle simulations. The conduction band offsets vary from 1.39 to 1.67 eV, the valence band offsets r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::59703ae586012ab51c14d1f4e7525933
http://europepmc.org/articles/PMC6694324
http://europepmc.org/articles/PMC6694324
Autor:
Changtai Xia, Shun-Ming Sun, Wen-Jun Liu, Shi-Jin Ding, Hongyu Yu, Ya-Wei Huan, David Wei Zhang, Chen-Jie Gu
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters
Nanoscale Research Letters, Vol 13, Iss 1, Pp 1-10 (2018)
Nanoscale Research Letters, Vol 13, Iss 1, Pp 1-10 (2018)
Ultra-wide bandgap beta-gallium oxide (β-Ga2O3) has been attracting considerable attention as a promising semiconductor material for next-generation power electronics. It possesses excellent material properties such as a wide bandgap of 4.6–4.9 eV
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5c99dc0273ce643bc98ee64f31b067d3
http://europepmc.org/articles/PMC6104468
http://europepmc.org/articles/PMC6104468
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science Forum. :1705-1714
Recent strong demands for optoelectronic communication and portable telephones have encouraged engineers to develop optoelectronic devices, microwave devices, and high-speed devices using heterostructural compound semiconductors. Although the compoun
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e66000458391a2258712358564186273
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.475-479.1705
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.475-479.1705
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.