Zobrazeno 1 - 10
of 573
pro vyhledávání: '"Interface trap density"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 209-214 (2021)
We investigated the impact of a sulfur passivation (S-passivation) process step on carrier transport properties of surface-channel In0.7Ga0.3As quantum-well (QW) Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors (MOSFETs) with source/drain (S/D) reg
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8cea47dd5f99471b870fdbdb21eac9ed
Autor:
Mayank Chaturvedi, Sima Dimitrijev, Hamid Amini Moghadam, Daniel Haasmann, Peyush Pande, Utkarsh Jadli
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 109745-109753 (2021)
Oxide traps existing in 4H-SiC MOS capacitors with fast response times that are active in the strong accumulation and depletion regions were characterized by an integrated-charge method. The method is based on the measurement of charging and discharg
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/575851fd107e46e3b9de43ad46e4914a
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 149118-149124 (2021)
We measure interface trap density near the conduction band edge and fixed oxide charge in commercial, packaged, 4H-SiC 1.2 kV planar Power MOSFETs. These traps determine the device threshold voltage, performance, and reliability. The subthreshold slo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/139bcc50ed04403e87e1cbfc5d812f11
Autor:
Yanni Zhang, Jincheng Zhang, Zhuangzhuang Hu, Zhaoqing Feng, Hepeng Zhang, Shengrui Xu, Zhihong Liu, Hong Zhou, Yue Hao
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 970-975 (2020)
Optimization of interface characteristics between dielectric and non-polar GaN surface is very important and urgent for vertical GaN MOS device whose channel is perpendicular to the conventional cplane. In this work, the effects of piranha cleaning a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ae74de26bcd44dc98017da8c9f8a1537