Zobrazeno 1 - 10
of 11 708
pro vyhledávání: '"Interface trap density"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Memories - Materials, Devices, Circuits and Systems December 2023 6
Autor:
Song, Sungjoo, Kim, Seung-Hwan, Kim, Seung-Geun, Han, Kyu-Hyun, Kim, Hyung-jun, Yu, Hyun-Yong
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds 15 March 2023 937
Autor:
Liao, Wei-Chi, Hwu, Jenn-Gwo
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; December 2024, Vol. 71 Issue: 12 p7787-7793, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Memories - Materials, Devices, Circuits and Systems, Vol 6, Iss , Pp 100091- (2023)
In recent years, there has been significant progress in the development of high-κ materials in the semiconductor industry. Given that the contact between the channel and the electrode has a crucial impact on reliability, the selection of electrode m
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0b5ece34c5274717b5c4626b2b82bab3
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 149118-149124 (2021)
We measure interface trap density near the conduction band edge and fixed oxide charge in commercial, packaged, 4H-SiC 1.2 kV planar Power MOSFETs. These traps determine the device threshold voltage, performance, and reliability. The subthreshold slo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/139bcc50ed04403e87e1cbfc5d812f11
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.