Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"Interface charge density"'
Publikováno v:
Sensors International, Vol 6, Iss , Pp 100312- (2025)
This article introduces an analytical model for double-gate AlGaN/GaN MOS-HEMT biosensors to accurately detect pH analytes and charged biomolecules. The device incorporates nanocavities and operates on the concept of dielectric modulation, presuming
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9884a0027953494bbe94873b9e54953c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jiang, Jing, Wang, S., Liu, X., Liu, Jianhui, Li, Jun, Zhou, Dexiang, Zhang, Kouchi, Ye, H., Tan, C.
Publikováno v:
Electronics; Volume 11; Issue 13; Pages: 2076
Electronics (Switzerland), 11(13)
Electronics (Switzerland), 11(13)
High electric-field stress is an effective solution to the recovery of irradiated devices. In this paper, the dependence of the recovery level on the magnitude of gate voltage and duration is investigated. Compared with the scheme of high gate-bias v
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9ddc29c93c49f4231264324fd2734029
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jaewon Jang, Kwangeun Kim
Publikováno v:
Electronics
Volume 9
Issue 7
Electronics, Vol 9, Iss 1068, p 1068 (2020)
Volume 9
Issue 7
Electronics, Vol 9, Iss 1068, p 1068 (2020)
The effects of post-deposition annealing (PDA) on the formation of polarization-charge inversion at ultrathin Al2O3/Ga-polar GaN interfaces are assessed by the analysis of energy band bending and measurement of electrical conduction. The PDA-induced
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::92e3231b8caac79ce1acf5c0eba8e0f5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.