Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Inter-strip resistance"'
Field effect transistor test structures for inter-strip isolation studies in silicon strip detectors
Autor:
Francesco Moscatelli, P. Paulitsch, M. Valentan, D. Blöch, V. Hinger, Marko Dragicevic, Thomas Bergauer
Publikováno v:
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT 958 (2020). doi:10.1016/j.nima.2019.05.074
info:cnr-pdr/source/autori:Hinger V.; Bergauer T.; Bloch D.; Dragicevic M.; Moscatelli F.; Paulitsch P.; Valentan M./titolo:Field effect transistor test structures for inter-strip isolation studies in silicon strip detectors/doi:10.1016%2Fj.nima.2019.05.074/rivista:NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT/anno:2020/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:958
info:cnr-pdr/source/autori:Hinger V.; Bergauer T.; Bloch D.; Dragicevic M.; Moscatelli F.; Paulitsch P.; Valentan M./titolo:Field effect transistor test structures for inter-strip isolation studies in silicon strip detectors/doi:10.1016%2Fj.nima.2019.05.074/rivista:NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT/anno:2020/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:958
Its radiation resilience has established p-type silicon as tracking detector baseline material in upcoming high-luminosity physics experiments. Electric isolation of n+ electrodes with p+ implants (p-stop or p-spray) is crucial for segmented p-type s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::798996fc4c31e0fd86f074c225385635
https://doi.org/10.1016/j.nima.2019.05.074
https://doi.org/10.1016/j.nima.2019.05.074
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Richard Bates, Sally Seidel, Hartmut Sadrozinski, G. Krambergen, Martin Hoeferkamp, Marko Mikuz, Didier Ferrere, S. Marti i Garcia, D. Schamberger, Carlos Lacasta, P. Maddock, J. Von Wilpert, H. Brown, M. Yamada, Vladimir Cindro, Jessica Metcalfe, F. Doherty, J.A. Kierstead, Vitaliy Fadeyev, Harald Fox, Alexander Grillo, B. DeWilde, Igor Mandić, Marcela Mikestikova, C. Betancourt, Karl Jakobs, J. Bohm, Noel Dawson, Kazuhiko Hara, Yoichi Ikegami, Val O'Shea, A. Greenall, M. Wormald, I. V. Gorelov, S. Paganis, M. Gerling, David Lynn, D. Puldon, Carmen García, M. Miñano, S. Gonzalez Sevilla, U. Parzefall, H. S. Chen, T. Kohriki, Konstantin Toms, Z. Li, L.B.A. Hommels, Richard French, J. R. Carter, A. G. Clark, M. Köhler, Phillip Allport, S. Lindgren, Peter Kodys, Zdenek Dolezal, Craig Buttar, A. Seiden, Yoshinobu Unno, H. Hatano, Lars Eklund, Dave Robinson, J. Wright, Gianluigi Casse, Susumu Terada, D. Tsionou, F. Martinez-McKinney, R. Maunu, R. L. McCarthy, S. Mitsui, A. Chilingarov, A. A. Affolder, S. Sattari, U. Soldevila
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. A, Vol. 636, No 1 (2011) pp. S104-S110
The ATLAS collaboration R&D group “Development of n-in-p Silicon Sensors for very high radiation environment” has developed single-sided p-type 9.75 cm×9.75 cm sensors with an n-type readout strips having radiation tolerance against the 1015 1-M
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4b90186b943df69a4dc2b3886356fd64
https://doi.org/10.1016/j.nima.2010.04.093
https://doi.org/10.1016/j.nima.2010.04.093
Autor:
Hans Andersson, Juha Kalliopuska, Simo Eränen, Sami Vähänen, Heikki Sipila, Lukas Tlustos, S. Nenonen
Publikováno v:
Kalliopuska, J, Nenonen, S, Sipilä, H, Andersson, H, Vähänen, S, Eränen, S & Tlustos, L 2009, ' Patterning thick diffused junctions on CdTe ', Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, vol. 607, no. 1, pp. 98-102 . https://doi.org/10.1016/j.nima.2009.03.132
Dividing the detector crystal into discrete pixels enables making an imaging detector, in which the charge collected by each pixel can be read separately. Even if the detector is not meant for imaging, patterns on the crystal surface may be used as g
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::39f58cd0d952e511fc4ed8c50681139f
https://doi.org/10.1016/j.nima.2009.03.132
https://doi.org/10.1016/j.nima.2009.03.132
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.