Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Insulator dielectric constant"'
In this paper, we have studied a double gate nanoscale MOSFET for various channel materials using simulation approach. The device metrics considered at the nanometer scale are subthreshold swing (SS), drain induced barrier lowering (DIBL), on and off
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::564d58f1b3d388ee993609141c88a159
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30971
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30971
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.