Zobrazeno 1 - 10
of 300
pro vyhledávání: '"Iniguez, Benjamin"'
Autor:
Roemer, Christian, Dersch, Nadine, Darbandy, Ghader, Schwarz, Mike, Han, Yi, Zhao, Qing-Tai, Iñíguez, Benjamín, Kloes, Alexander
Publikováno v:
In Solid State Electronics February 2024 212
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mounir, Ahmed, Iñiguez, Benjamin, Lime, François, Kloes, Alexander, Knobloch, Theresia, Grasser, Tibor
Publikováno v:
In Solid State Electronics September 2023 207
Autor:
Nikolaou, Aristeidis, Leise, Jakob, Zschieschang, Ute, Klauk, Hagen, Gneiting, Thomas, Darbandy, Ghader, Iñiguez, Benjamin, Kloes, Alexander
Publikováno v:
In Organic Electronics September 2023 120
Autor:
Roemer, Christian, Dersch, Nadine, Darbandy, Ghader, Schwarz, Mike, Han, Yi, Zhao, Qing-Tai, Iñíguez, Benjamín, Kloes, Alexander
Publikováno v:
In Solid State Electronics September 2023 207
Autor:
Rastegar Pashaki, Elahe, Leise, Jakob, Iniguez, Benjamin, Kleemann, Hans, Kloes, Alexander, Darbandy, Ghader
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; November 2024, Vol. 71 Issue: 11 p6996-7001, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Analytical modeling of capacitances in tunnel-FETs including the effect of Schottky barrier contacts
Autor:
Farokhnejad, Atieh, Schwarz, Mike, Horst, Fabian, Iñíguez, Benjamín, Lime, François, Kloes, Alexander
Publikováno v:
In Solid State Electronics September 2019 159:191-196
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Solid State Electronics November 2018 149:23-31