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Publikováno v:
Practical Metallography. 46:292-302
Kurzfassung Es wird ein Verfahren vorgestellt, mit dessen Hilfe Defekte in siliziumbasierten Halbleiterbauelementen in allen drei Raumrichtungen für eine TEM-Untersuchung präpariert werden. Die Groblokalisierung der Defekte erfolgte zunächst durch