Zobrazeno 1 - 10
of 1 099
pro vyhledávání: '"Ingaas gaas"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jian-Jhang Huang, Yu-Shyan Lin
Publikováno v:
Journal of the Korean Physical Society. 79:828-831
AlGaAs/InGaAs high-electron mobility transistors (HEMTs) are fabricated using a developed highly selective process and then characterized. The AlGaAs/InGaAs HEMTs undergo (NH4)2Sx treatment prior to gate metal deposition. The experimental results dem
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9b4a08cbe1379e7fecea21a2741f3e3d
https://doi.org/10.1007/s40042-021-00299-5
https://doi.org/10.1007/s40042-021-00299-5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Leonarde N. Rodrigues, Diego Scolfaro, Fernando Iikawa, Christoph Deneke, Angelo Malachias, O. D. D. Couto, Lucas da Conceição
Publikováno v:
ACS Applied Nano Materials. 4:3140-3147
Strain-based band structure engineering is a powerful tool to tune the optical and electronic properties of semiconductor nanostructures. We show that we can tune the band structure of InGaAs semic...
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c11f9423c41d35e86b53cc00de962f79
https://doi.org/10.1021/acsanm.1c00354
https://doi.org/10.1021/acsanm.1c00354
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
D. A. Veselov, Nikita A. Pikhtin, I. S. Shashkin, A. A. Klimov, Sergey O. Slipchenko, Yu. K. Bobretsova, V. A. Kryuchkov
Publikováno v:
Quantum Electronics. 50:722-726
Lasers based on AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures operating in the spectral range of 1.0 − 1.1 μm are investigated in order to optimise cladding layers. The effect of the thickness and composition of the cladding layers on the leakage of radiati
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7342d40c561f860d3a48ec36ec1e151e
https://doi.org/10.1070/qel17323
https://doi.org/10.1070/qel17323
Autor:
Martin Friedl, Wonjong Kim, Kris Cerveny, Lucas Güniat, Mohammad Samani, Nicholas Morgan, Lincoln J. Lauhon, Didem Dede, Dominik M. Zumbühl, Anna Fontcuberta i Morral, J. Segura-Ruiz, Megan O. Hill, Chunyi Huang
Publikováno v:
Nano Letters
'Nano Letters ', vol: 20, pages: 3577-3584 (2020)
'Nano Letters ', vol: 20, pages: 3577-3584 (2020)
Selective-area epitaxy provides a path toward high crystal quality, scalable, complex nanowire networks. These high-quality networks could be used in topological quantum computing as well as in ultrafast photodetection schemes. Control of the carrier
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::44f79b65b2e0f9fa697afb096f08de71
https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.0c00517
https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.0c00517