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pro vyhledávání: '"Indiumphosphid"'
Autor:
Ramasubramanian Balasubramanian, Vitalii Sichkovskyi, Cedric Corley-Wiciak, Florian Schnabel, Larisa Popilevsky, Galit Atiya, Igor Khanonkin, Amnon J Willinger, Ori Eyal, Gadi Eisenstein, Johann Peter Reithmaier
We describe the fabrication process and properties of an InP based quantum dot (QD) laser structure grown on a 5° off-cut silicon substrate. Several layers of QD-based dislocation filters embedded in GaAs and InP were used to minimize the defect den
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::547713d14b280b7741576269c3ab1c97
Autor:
Rausch, Marko
Um dem auch zukünftig stark ansteigenden Datenverkehrsaufkommen gerecht zu werden, bedarf es leistungsfähiger optischer Daten- und Kommunikationsnetze stetig steigender Kapazität. Das ist nur zu erreichen durch eine ständige Weiterentwicklung all
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3b1c2a45ed2fedd897fe03f4da7659dd
Autor:
Anger, Sabrina
Trotz der im Vergleich zu Silizium überragenden elektronischen Eigenschaften von Verbindungshalbleitern, ist die Leistung der daraus gefertigten elektrischen Bauelemente aufgrund der vorhandenen, die elektronischen Materialeigenschaften beeinflussen
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https://tubaf.qucosa.de/id/qucosa%3A23028
https://tubaf.qucosa.de/api/qucosa%3A23028/attachment/ATT-0/
https://tubaf.qucosa.de/api/qucosa%3A23028/attachment/ATT-0/
Autor:
Jochen Kreißl, Karsten Voigt, Lars Zimmermann, Klaus Petermann, Jürgen Bruns, Martina Krieg, Thorsten Hartwich, M. Schnarrenberger, T. Mitze, Klemens Janiak
Publikováno v:
AEU - International Journal of Electronics and Communications. 61:158-162
Der Beitrag stellt eine SOI-basierte Technologie zur Herstellung von optischen Leiterplatten vor, bei der mit Hilfe der Hybrid-Integration Silizium und InP auf einer Leiterplatte verbunden werden. Das Konzept wird zunächst vorgestellt und anhand von
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b619ccb396e3e7e162f08b4382dc21a2
https://doi.org/10.1016/j.aeue.2006.12.005
https://doi.org/10.1016/j.aeue.2006.12.005
Autor:
Anger, Sabrina
Trotz der im Vergleich zu Silizium überragenden elektronischen Eigenschaften von Verbindungshalbleitern, ist die Leistung der daraus gefertigten elektrischen Bauelemente aufgrund der vorhandenen, die elektronischen Materialeigenschaften beeinflussen
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4293::51b7d8a87d5d0250f561772898e30e52
https://tubaf.qucosa.de/id/qucosa:23028
https://tubaf.qucosa.de/id/qucosa:23028
Ill., graph. Darst.
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e50c68990718d63c26b6ac4baed6b423
Autor:
Bommer, Moritz
This work concentrates on optical investigation on single-photon generation for applications in communications, quantum cryptography, and quantum computing. Single-photon sources for commercial devices require robustness in their working conditions,
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______350::638448bc8565c3d6a873691512e67d78
http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/5119
http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/5119
Autor:
Semmel, Julia Birgit
Das zentrale Thema der vorliegenden Arbeit ist die Konzeptionierung und Charakterisierung verschiedener innovativer Bauteildesigns zur Optimierung der spektralen sowie elektro-optischen Eigenschaften von Quantenkaskadenlasern. Die Quantenkaskadenlase