Zobrazeno 1 - 10 of 4 414 pro vyhledávání: '"Indium gallium nitride"'
1
Akademický článek
Hybrid High-Power AlGaN/CdZnO/GaN/AlGaN HEMT with High Breakdown Voltage.
Autor: Kim, Bonghwan1 (AUTHOR) bhkim@cu.ac.kr, Park, Seung-Hwan1 (AUTHOR)
Publikováno v: Materials (1996-1944). Nov2024, Vol. 17 Issue 22, p5560. 9p.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Optimization Conditions for High-Power AlGaN/InGaN/GaN/AlGaN High-Electron-Mobility Transistor Grown on SiC Substrate.
Autor: Kim, Bonghwan1 (AUTHOR) bhkim@cu.ac.kr, Park, Seung-Hwan1 (AUTHOR)
Publikováno v: Materials (1996-1944). Nov2024, Vol. 17 Issue 22, p5515. 9p.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Polarization-Doped InGaN LEDs and Laser Diodes for Broad Temperature Range Operation.
Autor: Aktas, Muhammed1 (AUTHOR) maktas@unipress.waw.pl, Grzanka, Szymon1 (AUTHOR), Marona, Łucja1 (AUTHOR), Goss, Jakub2 (AUTHOR), Staszczak, Grzegorz1 (AUTHOR), Kafar, Anna1 (AUTHOR), Perlin, Piotr1 (AUTHOR) piotr@unipress.waw.pl
Publikováno v: Materials (1996-1944). Sep2024, Vol. 17 Issue 18, p4502. 12p.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Impact of crystallographic facet of InGaN micro-LED sidewalls on electro-optical characteristics.
Autor: Lex, A.1,2,3,4 (AUTHOR) andreas.lex@ams-osram.com, Avramescu, A.1 (AUTHOR), Vögl, F.1,4 (AUTHOR), Brandl, M.1 (AUTHOR), Binder, M.1 (AUTHOR), Hetzl, M.1 (AUTHOR), Spende, H.2,3,4 (AUTHOR), Wolter, S.2,3,4 (AUTHOR), Waag, A.2,3,4 (AUTHOR), von Malm, N.1 (AUTHOR)
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 7/14/2024, Vol. 136 Issue 2, p1-9. 9p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Multiple-carrier-lifetime model for carrier dynamics in InGaN/GaN LEDs with a non-uniform carrier distribution.
Autor: Li, Xuefeng1 (AUTHOR) xuefengli@unm.edu, DeJong, Elizabeth1 (AUTHOR), Armitage, Rob2 (AUTHOR), Feezell, Daniel1 (AUTHOR)
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 1/21/2024, Vol. 135 Issue 3, p1-10. 10p.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Numerical Analysis of the ZnGeN2 Layer Effect on InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes.
Autor: Samira, Laznek1 samira.laznek@univ-biskra.dz, Nadia, Messei2, Attaf, Abdallah2
Publikováno v: International Journal of Nanoelectronics & Materials. Jan2024, Vol. 17 Issue 1, p12-19. 8p.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Analysis of the optical gain due to free-to-bound electronic transitions in indium-rich InGaN layers.
Autor: Kudryavtsev, K. E.1 (AUTHOR) konstantin@ipmras.ru, Andreev, B. A.1 (AUTHOR), Lobanov, D. N.1 (AUTHOR), Kalinnikov, M. A.1 (AUTHOR), Yablonskiy, A. N.1 (AUTHOR), Yunin, P. A.1 (AUTHOR), Novikov, A. V.1 (AUTHOR), Krasilnik, Z. F.1 (AUTHOR)
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 12/7/2023, Vol. 134 Issue 21, p1-8. 8p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Effect of Nitrogen Plasma Treatment on the Structural and Optical Properties of InGaN.
Autor: Gridchin, V. O.1,2,3 (AUTHOR) gridchinvo@gmail.com, Soshnikov, I. P.2,3,4,5 (AUTHOR), Reznik, R. R.1 (AUTHOR), Komarov, S. D.5 (AUTHOR), Pirogov, E. V.2 (AUTHOR), Lendyashova, V. V.1,2,4 (AUTHOR), Kotlyar, K. P.1,2,3 (AUTHOR), Kryzhanovskaya, N. V.5 (AUTHOR), Cirlin, G. E.1,2,3,4 (AUTHOR)
Publikováno v: Technical Physics Letters. 2023 Suppl 4, Vol. 49, pS364-S367. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Investigation of N-polar InGaN growth on misoriented ScAlMgO4 substrates.
Autor: Najmi, Mohammed A.1 (AUTHOR), Kirilenko, Pavel1 (AUTHOR), Iida, Daisuke1 (AUTHOR), Ohkawa, Kazuhiro1 (AUTHOR) kazuhiro.ohkawa@kaust.edu.sa
Publikováno v: Scientific Reports. 11/7/2023, Vol. 13 Issue 1, p1-9. 9p.
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Degradation of InGaN/GaN Quantum Well UV LEDs Caused by Short-Term Exposure to Current.
Autor: Ivanov, A. M.1 (AUTHOR) alexandr.ivanov@mail.ioffe.ru, Klochkov, A. V.1 (AUTHOR)
Publikováno v: Technical Physics. Nov2023, Vol. 68 Issue 11, p428-435. 8p.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje