Topological line defects in hexagonal SiC monolayer.

Autor: Morais WP; Departamento de Física, Universidade Federal do Espírito Santo, Vitória-ES, 29075-910, Brazil., Inacio GJ; Departamento de Física, Universidade Federal do Espírito Santo, Vitória-ES, 29075-910, Brazil., Amorim RG; Departamento de Física, ICEx, Universidade Federal Fluminense - UFF, Volta Redonda/RJ, Brazil., Paz WS; Departamento de Física, Universidade Federal do Espírito Santo, Vitória-ES, 29075-910, Brazil., Pansini FNN; Departamento de Física, Universidade Federal do Espírito Santo, Vitória-ES, 29075-910, Brazil., de Souza FAL; Instituto Federal do Espírito Santo, Ibatiba-ES, 29395-000, Brazil. fabio.souza@ifes.edu.br.

Publikováno v: Physical chemistry chemical physics : PCCP [Phys Chem Chem Phys] 2023 Dec 13; Vol. 25 (48), pp. 33048-33055. Date of Electronic Publication: 2023 Dec 13.