Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"InP HEMTs"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pospieszalski, Marian
A development goal defined by ASAC is: “Larger bandwidths and better receiver sensitivity: enabling gains in speed”. This broad goal requires careful scrutiny, as for a given SIS mixer extending the IF frequency range from 4-8 GHz (for Band #6 fr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::07ce0f8d4819c7ac831aa848021af59b
Autor:
Reeves, Rodrigo, Martínez, Miguel, Varonen, Mikko, Parveg, Dristy, Kangaslahti, Pekka, Cleary, Kieran, Kooi, Jacob, Ramírez, Wagner, Melillanca, Javier, Vargas, Felipe, Gabristche, Bekari
Millimeter-wave transistor based technologies are steadily progressing in areas such as electrical performance (noise and bandwidth), thermal management, power consumption, and miniaturization of complex receiver functionality, and are becoming a via
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a986bbc24e32ab6ed26df880ff339432
Autor:
Calvo Ruiz, Diego
Indium phosphide based high electron mobility transistors (InP HEMTs) offer outstanding channel transport properties required for high-speed, high-gain and low-noise performance. They are the key components of low-noise receivers, and their field of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::073881234d55363bbd5b13b09476b29c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Saguatti, Davide, Mohamad Isa, M., Ian, K. W., Chini, Alessandro, Giovanni Verzellesi, FAUSTO FANTINI, Missous, M.
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Università degli studi di Modena e Reggio Emilia-IRIS
Università degli studi di Modena e Reggio Emilia-IRIS
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::03fc0116d39ca3673a8232875aa9ff9a
https://hdl.handle.net/11380/708908
https://hdl.handle.net/11380/708908
Autor:
Giovanni Verzellesi, Mohamed Missous, Alessandro Chini, M. Mohamad Isa, Ka Wa Ian, Davide Saguatti
This paper presents a Novel low noise, high breakdown InAlAs/InGaAs pseudomorphic High Electron Mobility Transistors (pHEMTs). The improvements in breakdown voltage are brought about by a judicious combination of epitaxial layer design and field plat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6cb6433da0eb8cc90d8af58c3acb2afa
https://hdl.handle.net/11380/652841
https://hdl.handle.net/11380/652841