Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"InGaN solar cell"'
Publikováno v:
Electrochem, Vol 3, Iss 3, Pp 407-415 (2022)
The impact of doping concentration and thickness of n-InGaN and p-InGaN regions on the power conversion efficiency of single junction-based InGaN solar cells was studied by the Silvaco ATLAS simulation software. The doping concentration 5 × 1019 cm
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/16eb36199aa5480e821419ae3a850246
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zheng, Kai-yin
The experiment divided into two parts. One is silicon solar cell process. The other is InGaN solar cell process. Borosilicafilm solution spin onto the n-type silicon (111) substrate and spread through the high-temperature furnace tube to form a p-n j
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.