Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"InGaAsN quantum well (QW)"'
Autor:
Lifang Xu, Dinesh Patel, Carmen S. Menoni, Jon M. Pikal, Jeng-Ya Yeh, J. Y. T. Huang, Luke J. Mawst, Nelson Tansu
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 4, Iss 6, Pp 2382-2389 (2012)
The time evolution of the photoluminescence (PL) of 1300-nm emitting InGaAsN/ GaAs/GaAsP strain-compensated single quantum well (QW) in the temperature range of T 1/4 10 K - 300 K is investigated. The PL spectra observed at the early stages of carrie
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/255057c9a25348109380d3f4a8757862
Autor:
J.Y.T. Huang, Carmen S. Menoni, Jeng-Ya Yeh, Lifang Xu, Nelson Tansu, Dinesh Patel, Jon M. Pikal, Luke J. Mawst
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 4, Iss 6, Pp 2382-2389 (2012)
The time evolution of the photoluminescence (PL) of 1300-nm emitting InGaAsN/ GaAs/GaAsP strain-compensated single quantum well (QW) in the temperature range of T 1/4 10 K - 300 K is investigated. The PL spectra observed at the early stages of carrie
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.