Zobrazeno 1 - 10
of 50
pro vyhledávání: '"InGaAs/GaAsSb superlattice"'
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 November 2017 477:100-103
Autor:
Fulop, Gabor F., Ting, David Z., Zheng, Lucy L., Muduli, Manisha, Schwartz, Mariah, Gajowski, Nathan, Lee, Seunghyun, Krishna, Sanjay
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; June 2023, Vol. 12534 Issue: 1 p125340A-125340A-6, 1128067p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. Apr2013, Vol. 113 Issue 14, p143506. 5p. 1 Diagram, 8 Graphs.
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 477:100-103
In this paper, the authors reported recent work on the growth and fabrication of InGaAs/GaAsSb type II superlattice detectors by solid source molecular beam epitaxy. Superlattice materials with different Beryllium (Be) doping concentration were grown
Autor:
Chuan Jin1,2, Jianxin Chen1 jianxinchen@mail.sitp.ac.cn, Qingqing Xu1, Chengzhang Yu1, Li He1
Publikováno v:
Optical Engineering. May2017, Vol. 56 Issue 5, p1-5. 5p. 1 Diagram, 6 Graphs.
Publikováno v:
Infrared Technology and Applications XLII.
In this paper, our recent study on InGaAs/GaAsSb Type II photodetector for extended short wavelength infrared detection is reported. The high quality InGaAs/GaAsSb superlattices (SLs) was grown successfully by molecular beam epitaxy. The full width o
Publikováno v:
Optical Engineering. 56:057102
We report on a p-i-n photodetector based on type II InGaAs/GaAsSb SLs with a cutoff wavelength of 2.5 μm at room temperature. High quality materials were grown on an n-type (100) InP substrate by molecular beam epitaxy. Photoluminescence spectroscop
Autor:
Andresen, Bjørn F., Fulop, Gabor F., Hanson, Charles M., Miller, John L., Norton, Paul R., Jin, Chuan, Xu, Qingqing, Yu, Chengzhang, Chen, Jianxin
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; May 2016, Vol. 9819 Issue: 1 p98190B-98190B-7, 883718p