Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Intrinsic optical confinement for ultrathin InAsN quantum well superlattices

Autor: Abdallah Sakri, Jean-Marc Jancu, Clotilde Des Robert, Jacky Even, Olivier Durand, Charles Cornet, Laurent Pedesseau

Publikováno v: AIP Conference Proceedings
THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2012
31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2012)
31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2012), Jul 2012, Zurich, Switzerland. pp.464, ⟨10.1063/1.4848486⟩

International audience; We study energy-band engineering with InAsN monolayer in GaAs/GaP quantum well structure. A tight-binding calculation indicates that both type I alignment along with direct band-gap behavior can be obtained. We show that the o

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::daf18f8a2a38f655cefd5d39d2f9f890
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00726876

Bonding of nitrogen in dilute InAsN and high In-content GaInAsN

Autor: P. Ganser, M. Maier, Joachim Wagner, Klaus Köhler

Dilute InAs(1-y)N(y) and high In-content Ga(1-x)In(x)As(1-y)N(y) layers with y lt = 0.012 and x gt= 0.92 were grown by rf-nitrogen plasma source molecular-beam epitaxy on InP substrates using a metamorphic GaInAs buffer layer. The bonding of nitrogen

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4749811522ae6b390fbebd3702e423c8
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/208949

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.