Zobrazeno 1 - 10
of 48
pro vyhledávání: '"InAlN/GaN HEMT"'
Autor:
Kuzmík, J. a, ⁎, Blaho, M. a, Gregušová, D. a, Eliáš, P. a, Pohorelec, O. a, Hasenöhrl, S. a, Haščík, Š. a, Gucmann, F. a, Zápražný, Z. a, Dobročka, E. a, Kyambaki, M. b, Konstantinidis, G. b
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing January 2025 185
Autor:
Can Gong, Minhan Mi, Yuwei Zhou, Pengfei Wang, Yilin Chen, Jielong Liu, Yutong Han, Sirui An, Siyin Guo, Meng Zhang, Qing Zhu, Mei Yang, Xiaohua Ma, Yue Hao
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 72-77 (2023)
In this work, high performance InAlN/GaN HEMT based on the n+GaN regrown ohmic contact with n+GaN contact ledge structure is proposed. The regrown ohmic contact of InAlN/GaN HEMT is formed by MBE n+GaN regrowth and self-stopping etching, which makes
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/77231092cf96498cb56106544ab5e5fe
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Crystals, Vol 12, Iss 11, p 1521 (2022)
An enhancement of the electrical performance of the InAlN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) is demonstrated by the incorporation of post bis(trifluoromethane) sulfonamide (TFSI) treatment. The surface treatment of TFSI solution results i
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2bfc25d6d8b4406d906e665efedcf3f3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.