Zobrazeno 1 - 10
of 561
pro vyhledávání: '"InAlN/GaN HEMT"'
Autor:
Raychaudhuri, Jagori, Mukherjee, Jayjit, Malik, Amit, Kumar, Sudhir, Rawal, D. S., Mishra, Meena, Ghosh, Santanu
An InAlN/GaN HEMT device was studied using extensive temperature dependent DC IV measurements and CV measurements. Barrier traps in the InAlN layer were characterized using transient analysis. Forward gate current was modelled using analytical equati
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2309.02376
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Can Gong, Minhan Mi, Yuwei Zhou, Pengfei Wang, Yilin Chen, Jielong Liu, Yutong Han, Sirui An, Siyin Guo, Meng Zhang, Qing Zhu, Mei Yang, Xiaohua Ma, Yue Hao
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 72-77 (2023)
In this work, high performance InAlN/GaN HEMT based on the n+GaN regrown ohmic contact with n+GaN contact ledge structure is proposed. The regrown ohmic contact of InAlN/GaN HEMT is formed by MBE n+GaN regrowth and self-stopping etching, which makes
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/77231092cf96498cb56106544ab5e5fe
Autor:
Narang, Kapil1,2 (AUTHOR) kapilnarang.sspl@gov.in, Bag, Rajesh K.1 (AUTHOR), Pandey, Akhilesh1 (AUTHOR), Goyal, Anshu1 (AUTHOR), Singh, Vikash K.1 (AUTHOR), Lohani, Jaya1 (AUTHOR), Yadav, Brajesh S.1 (AUTHOR), Saini, Sachin1 (AUTHOR), Bharti, Preeti1 (AUTHOR), Dalal, Sandeep1 (AUTHOR), Padmavati, M. V. G.1 (AUTHOR), Tyagi, Renu1 (AUTHOR), Singh, Rajendra2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 10/14/2023, Vol. 134 Issue 14, p1-12. 12p.
Autor:
Lian, Mengxiao, Yin, Yian, Li, Jialin, Zou, Bingzhi, Zhang, Keming, Zhang, Xichen, Xie, Yafang, Wu, You, Zhang, Zhixiang
Publikováno v:
In Microelectronics Journal July 2023 137
In this letter, N2 and forming gas (FG) were used during ohmic contact annealing of InAlN/GaN HEMTs on Si. It is found that N2 annealing offers lower ohmic contact resistance (RC) while FG annealing features lower sheet resistance (Rsheet). Then FG/N
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2005.08422
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cui, Peng, Zeng, Yuping
Publikováno v:
In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures October 2021 134
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.