Zobrazeno 1 - 10
of 308
pro vyhledávání: '"InAlN/GaN"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kuzmík, J. a, ⁎, Blaho, M. a, Gregušová, D. a, Eliáš, P. a, Pohorelec, O. a, Hasenöhrl, S. a, Haščík, Š. a, Gucmann, F. a, Zápražný, Z. a, Dobročka, E. a, Kyambaki, M. b, Konstantinidis, G. b
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing January 2025 185
Autor:
Yatexu Patel, Pouya Valizadeh
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 645-650 (2024)
In this manuscript, we have investigated the impact of the scaling of the gate-source length (LGS) and gate length (LG) on the on-state breakdown voltage (BVon) of metallic-face InAlN/AlN/GaN heterostructure field effect transistors (HFETs) having fi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fe7e899f8df24168be9a6cf23a251629
Autor:
Yatexu Patel, Pouya Valizadeh
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 525-533 (2024)
In this manuscript, we have investigated the impact of the scaling of the gate-source length (LGS) and gate length (LG) on the output characterises and gate-transconductance (Gm) linearity of metallic-face InAlN/AlN/GaN heterostructure field effect t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c34221d098044f9b9824c3b217190e5a
Autor:
Yatexu Patel, Pouya Valizadeh
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 338-344 (2024)
The low frequency drain noise-current characteristics of metallic-face InAlN/AlN/GaN heterostructure field effect transistors (HFETs) having fin structures only under the gate, while maintaining a planar structure in the access regions, are compared
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3856d928e0984a0bb473abe30dce2a50
Autor:
Can Gong, Minhan Mi, Yuwei Zhou, Pengfei Wang, Yilin Chen, Jielong Liu, Yutong Han, Sirui An, Siyin Guo, Meng Zhang, Qing Zhu, Mei Yang, Xiaohua Ma, Yue Hao
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 72-77 (2023)
In this work, high performance InAlN/GaN HEMT based on the n+GaN regrown ohmic contact with n+GaN contact ledge structure is proposed. The regrown ohmic contact of InAlN/GaN HEMT is formed by MBE n+GaN regrowth and self-stopping etching, which makes
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/77231092cf96498cb56106544ab5e5fe
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ling Yang, Hao Lu, Meng Zhang, Xuerui Niu, Chuzhou Shi, Bin Hou, Minhan Mi, Mei Wu, Qing Zhu, Yang Lu, Ling Lv, Kai Cheng, Xiaohua Ma, Yue Hao
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 474-480 (2022)
In this paper, the impact of ohmic structure on channel-to-channel (C2C) coupling effect in InAlN/GaN double channel (DC) HEMTs is systematically analyzed and studied. For the un-recessed ohmic structure, the electrons in the upper channel can easily
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d3e3289985ee43ca9419578991dc07c9
Autor:
Yuwei Zhou, Jiejie Zhu, Minhan Mi, Meng Zhang, Pengfei Wang, Yutong Han, Sheng Wu, Jielong Liu, Qing Zhu, Yilin Chen, Bin Hou, Xiaohua Ma, Yue Hao
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 756-762 (2021)
In this work, low voltage RF power capability on AlGaN/GaN and InAlN/GaN HEMTs is analyzed from the perspective of DC and pulse characteristics, for terminal applications whose operating voltage is usually in the range of 3 to 15 V. Device fabricatio
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/227554a6754448f8bb93977cd552da71
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.