Zobrazeno 1 - 10
of 3 104
pro vyhledávání: '"InAlN/GaN"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Raychaudhuri, Jagori, Mukherjee, Jayjit, Malik, Amit, Kumar, Sudhir, Rawal, D. S., Mishra, Meena, Ghosh, Santanu
An InAlN/GaN HEMT device was studied using extensive temperature dependent DC IV measurements and CV measurements. Barrier traps in the InAlN layer were characterized using transient analysis. Forward gate current was modelled using analytical equati
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2309.02376
Autor:
Yatexu Patel, Pouya Valizadeh
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 645-650 (2024)
In this manuscript, we have investigated the impact of the scaling of the gate-source length (LGS) and gate length (LG) on the on-state breakdown voltage (BVon) of metallic-face InAlN/AlN/GaN heterostructure field effect transistors (HFETs) having fi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fe7e899f8df24168be9a6cf23a251629
Autor:
Yatexu Patel, Pouya Valizadeh
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 525-533 (2024)
In this manuscript, we have investigated the impact of the scaling of the gate-source length (LGS) and gate length (LG) on the output characterises and gate-transconductance (Gm) linearity of metallic-face InAlN/AlN/GaN heterostructure field effect t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c34221d098044f9b9824c3b217190e5a
Autor:
Yatexu Patel, Pouya Valizadeh
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 338-344 (2024)
The low frequency drain noise-current characteristics of metallic-face InAlN/AlN/GaN heterostructure field effect transistors (HFETs) having fin structures only under the gate, while maintaining a planar structure in the access regions, are compared
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3856d928e0984a0bb473abe30dce2a50
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.