Zobrazeno 1 - 10 of 711 149 pro vyhledávání: '"In/GaAs"'
1
Akademický článek
Characterization of GaAs and GaAs/Cr/GaAs interfacial layers fabricated via magnetron sputtering on silicon (100).
Autor: Pulzara-Mora, Camilo1, Doria-Andrade, José2, Bernal-Correa, Roberto3, Rosales-Rivera, Andrés4, Pulzara-Mora, Álvaro1 aopulzaram@unal.edu.co
Publikováno v: Digest Journal of Nanomaterials & Biostructures (DJNB). Apr-Jun2024, Vol. 19 Issue 2, p669-677. 9p.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
PHOTOELECTRIC CHARACTERISTICS OF THE HETEROJUNCTION n-GaAs-p-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y.
Autor: Boboev, Akramjon Y.1 aboboevscp@gmail.com
Publikováno v: East European Journal of Physics. 2024, Issue 3, p298-302. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
High‐Efficiency Flexible GaAs/InGaAs Dual‐Junction Solar Cells Fabricated by Metallic Nanoparticle‐Based Wafer Bonding.
Autor: Kim, Yeongho1,2 (AUTHOR), Park, Suho2,3 (AUTHOR), Nguyen, Thuy Thi2 (AUTHOR), Jeon, Jiyeon2 (AUTHOR), Chun, Byong Sun2 (AUTHOR) mainue@kriss.re.kr, Lee, Sang Jun2 (AUTHOR) sjlee@kriss.re.kr
Publikováno v: Small Structures. Sep2024, p1. 7p. 6 Illustrations, 1 Chart.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Electron levels of defects in In(Ga)As/(In)GaAs nanostructures: A review.
Autor: Datsenko, O. I.1 oleksandr.datsenko@knu.ua, Kravchenko, V. M.1 kravm@knu.ua, Golovynskyi, S.2 serge@szu.edu.cn
Publikováno v: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2024, Vol. 27 Issue 2, p194-207. 14p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
8 英寸半导电型 GaAs 单晶衬底的制备与性能表征.
Autor: 任殿胜1 diansheng.ren@tmjt.com, 王志珍1 zhizhen.wang@tmjt.com, 张舒惠1, 王元立1
Publikováno v: Journal of Synthetic Crystals. Mar2024, Vol. 53 Issue 3, p487-496. 10p.
Zobrazit plný text záznamu
6
MarketLine Company Profile: AS Eesti Gaas.
Publikováno v: AS Eesti Gaas MarketLine Company Profile. 2/6/2024, p1-13. 13p.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Characterization of Below-Bandgap Absorption in Type II GaSb Quantum Dots in GaAs Solar Cells.
Autor: James, Juanita Saroj1 (AUTHOR) juanitasaroj@wcc.edu.in, Fujita, Hiromi2 (AUTHOR), Carrington, Peter J.3 (AUTHOR), Marshall, Andrew R. J.4 (AUTHOR), Krier, Susan4 (AUTHOR), Krier, Anthony4 (AUTHOR)
Publikováno v: Physics (2624-8174). Sep2024, Vol. 6 Issue 3, p990-998. 9p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Impact of using dual back surface field layers of different materials on GaAs single junction solar cell performance.
Autor: Saif, Ala'eddin A.1 aasaif@uj.edu.sa, Mindil, A.1
Publikováno v: Journal of Ovonic Research. Jul/Aug2024, Vol. 20 Issue 4, p569-577. 9p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Report
Suppression of Phase Separation in AlGaInAs Compositionally Graded Buffers for 1550 nm Photovoltaic Converters on GaAs
Autor: Schulte, Kevin L., Geisz, John F., Guthrey, Harvey L., France, Ryan M., da Costa, Edgard Winter, Steiner, Myles A.
We investigate strategies to suppress phase separation and reduce threading dislocation densities (TDD) in AlGaInAs compositionally graded buffers (CGBs) that span the lattice constant range from GaAs to InP. Combining results from high resolution x-
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/2411.03218
Zobrazit plný text záznamu
10
Report
GaAs doped by self-assembled molecular monolayers
Autor: Fan, Zhengfang, Liu, Yumeng, Wang, Yizuo, Guo, Shuwen, He, Li, Dan, Yaping
Self-assembled molecular monolayer doping remains as a research focus for its nature of being conformal, nondestructive, and self-limiting. Herein, we demonstrate a sulfur monolayer doping in GaAs, facilitated by (NH4)2Sx solution. The Van der Pauw t
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/2411.02235
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje