Zobrazeno 1 - 10
of 322
pro vyhledávání: '"Improved Luminescence Efficiency"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Information Display. 13:91-95
Indium phosphide (InP) quantum dots (QDs) are considered alternatives to Cd-containing QDs for application in light-emitting devices. The multishell coating with ZnSe/ZnS was shown to improve the photoluminescence quantum yield (QY) of InP QDs more s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5979ee3ccc6216240aee1cfc1ac12113
https://doi.org/10.1080/15980316.2012.683537
https://doi.org/10.1080/15980316.2012.683537
Publikováno v:
physica status solidi c. 6:868-871
Observation of the enhanced luminescence efficiency of InAs quantum dots (QDs) grown on atomically controlled GaAs surfaces is reported. With the trisdimethylaminoarsenic (TDMAAs) in-situ surface etching process, formation of atomic steps and terrace
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6b57c9320ca89fe23444a17b3b8b5565
https://doi.org/10.1002/pssc.200880634
https://doi.org/10.1002/pssc.200880634
Autor:
Peter Krispin, C.W. Coldren, James S. Harris, William R. Wampler, Klaus Ploog, S.G. Spruytte, Michael C. Larson
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 89:4401-4406
A key to the utilization of nitride-arsenides for long wavelength optoelectronic devices is obtaining low defect materials with long nonradiative lifetimes. Currently, these materials must be annealed to obtain device quality material. The likely def
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f53703b0b6a6c2e7d10f2c9bbb467624
https://doi.org/10.1063/1.1352675
https://doi.org/10.1063/1.1352675
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Semiconductor quantum dots (QDs) exhibit unique optical properties like size-tunable emission color, narrow emission peak, and high luminescence efficiency. QDs are therefore investigated towards their application in light-emitting devices (QLEDs), s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e069391897e535c37bf7ed6777a70668
https://doi.org/10.1117/12.922885
https://doi.org/10.1117/12.922885
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 79:1094-1096
Positron-annihilation measurements and nuclear reaction analysis [utilizing the 14N(d,p)15N and 14N(d,He)12C reactions] in conjunction with Rutherford backscattering spectrometry in the channeling geometry were used to study the defects in as-grown G
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eafbed12fd8079d53ecaa3a0a81f1cfa
https://doi.org/10.1063/1.1396316
https://doi.org/10.1063/1.1396316
Publikováno v:
2007 IEEE 19th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials.
Surface passivation effect of electron-beam resist (EBR) on InAs quantum dots (QDs) was studied to fabricate nano devices based on QDs open to air. When polymethylmethacrylate (PMMA) was coated on InAs QD surfaces, the luminescence spectra and effici
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::64398b03e1f738ca645362b71b762aba
https://doi.org/10.1109/iciprm.2007.381179
https://doi.org/10.1109/iciprm.2007.381179