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Etude par IBA de la réponse de systèmes multicouches Cr-Ta aux effets d'irradiation aux ions lourds et à l'implantation d'hélium
Autor: Sall, Mamour, Loyer-Prost, Marie, Cabet, Céline, Khodja, Hicham
Publikováno v: IBAF 2016
IBAF 2016, Sep 2016, Annecy, France
International audience; Le développement de l'industrie de l'énergie nucléaire dépend du développement de nouveaux matériaux capables de supporter une forte dose d'irradiation (plusieurs centaines de déplacements par atome) aux neutrons de gra
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::bf7c91b6d9c9ed7d9531138c46b3b993
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-02346344/file/Sall_IBAF2016.pdf
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Dissertation/ Thesis
Défauts induits par l'implantation d'hélium dans les matériaux à base silicium
Autor: Oliviero, Erwan
Les recherches présentées dans cette thèse ont été effectuées au Laboratoire de MétallurgiePhysique de l'Université de Poitiers ainsi qu'au sein du groupe Defects in Materials appartenant auInterfaculty Reactor Institute de l'Université Tech
Externí odkaz: http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00107085
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/10/70/85/PDF/these-oliviero.pdf
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Analyse des défauts cristallins par canalisation : Application aux cavités formées par l'implantation d'hélium dans le silicium
Autor: Grob, J.J.
Publikováno v: Journées d'Étude sur l'Analyse de Surfaces, d'Interfaces et de Films Minces par Faisceaux d'Ions Rapides
Journées d'Étude sur l'Analyse de Surfaces, d'Interfaces et de Films Minces par Faisceaux d'Ions Rapides, Mar 2003, Nouan-Le-Fuzelier, France
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::d817cfc508f94810261e80bf801afb6e
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00207870
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Dissertation/ Thesis
Analyse du CeCoIn5 sous implantion d'atomes d'héliums afin de conduire le système supraconducteur vers l'ordre antiferromagnétique par pression négative
Autor: Dupuis, William
La supraconductivité dans la famille des composés de type fermions lourds tel le CeCoIn5 se développe à proximité d’une instabilité antiferromagnétique. La proximité de cette instabi- lité indique un point quantique critique (anglais pour
Externí odkaz: http://hdl.handle.net/1866/32249
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Etude et caractérisation optique linéaire et non-linéaire de guides d'onde plans fabriqués par implantation d'hélium (He+) et de protons (H+) dans KTiOPO4 (KTP)
Autor: Bindner, Philippe
The increasing technological needs in the information optical processing and biomedical lasers encourage the elaboration of integrated optoelectronic components and micro-lasers emitting in the visible and UV spectrum. With frequency doubling in high
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2592::9463dd2ff0defdaf0690b66e85a38c5c
https://hal.univ-lorraine.fr/tel-01775781
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Dissertation/ Thesis
Étude des défauts bidimensionnels à base d'hélium dans le silicium - Application au transfert de films minces
Autor: Vallet, Maxime
Le procédé Smart CutTM, utilisé pour le transfert de films minces sur substrat est basé sur la fissuration du silicium. La propagation des fissures est initiée à partir de défauts bidimensionnels induits par implantation d'hydrogène, les « H
Externí odkaz: http://www.theses.fr/2014POIT2277/document
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