Zobrazeno 1 - 10 of 218 pro vyhledávání: '"Imade, M."'
1
Akademický článek
Free electron concentration dependent sub-bandgap optical absorption characterization of bulk GaN crystals
Autor: Pimputkar, S., Suihkonen, S., Imade, M., Mori, Y., Speck, J.S., Nakamura, S.
Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 15 December 2015 432:49-53
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Local piezoelectric properties in Na-flux GaN bulk single crystals.
Autor: Ueda, A., Hamachi, T., Okazaki, A., Takeuchi, S., Tohei, T., Imanishi, M., Imade, M., Mori, Y., Sakai, A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/28/2020, Vol. 128 Issue 12, p1-8, 8p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Identification of dislocation characteristics in Na-flux-grown GaN substrates using bright-field X-ray topography under multiple-diffraction conditions.
Autor: Tsusaka, Y., Mizuochi, H., Imanishi, M., Imade, M., Mori, Y., Matsui, J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2019, Vol. 125 Issue 12, pN.PAG-N.PAG, 7p, 7 Diagrams, 1 Chart
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Leakage current analysis for dislocations in Na-flux GaN bulk single crystals by conductive atomic force microscopy.
Autor: Hamachi, T., Takeuchi, S., Tohei, T., Imanishi, M., Imade, M., Mori, Y., Sakai, A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 6p, 4 Diagrams, 1 Chart, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Control of dislocation morphology and lattice distortion in Na-flux GaN crystals.
Autor: Takeuchi, S., Mizuta, Y., Imanishi, M., Imade, M., Mori, Y., Sumitani, K., Imai, Y., Kimura, S., Sakai, A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2017, Vol. 122 Issue 10, p1-6, 6p, 1 Color Photograph, 1 Black and White Photograph, 4 Diagrams, 1 Chart, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Elastic constants of GaN between 10 and 305 K.
Autor: Adachi, K., Ogi, H., Nagakubo, A., Nakamura, N., Hirao, M., Imade, M., Yoshimura, M., Mori, Y.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2016, Vol. 119 Issue 24, p245111-1-245111-6, 6p, 1 Diagram, 1 Chart, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Dislocation confinement in the growth of Na flux GaN on metalorganic chemical vapor deposition-GaN.
Autor: Takeuchi, S., Asazu, H., Imanishi, M., Nakamura, Y., Imade, M., Mori, Y., Sakai, A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 118 Issue 24, p245306-1-245306-7, 7p, 6 Diagrams, 2 Charts
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Atomic structure of interface between monolayer Pd film and Ni(111) determined by low-energy electron diffraction and scanning tunneling microscopy.
Autor: An, B., Wen, M., Zhang, L., Imade, M., Iijima, T., Fukuyama, S., Yokogawa, K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov2010, Vol. 108 Issue 10, p103521, 4p, 3 Diagrams, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje