Knihovna AV ČR, v. v. i.
  • Odhlásit
  • Přihlášení
  • Jazyk
    • English
    • Čeština
  • Instituce
    • Knihovna AV ČR
    • Souborný katalog AV ČR
    • Archeologický ústav Brno
    • Archeologický ústav Praha
    • Astronomický ústav
    • Biofyzikální ústav
    • Botanický ústav
    • Etnologický ústav
    • Filosofický ústav
    • Fyzikální ústav
    • Fyziologický ústav
    • Geofyzikální ústav
    • Geologický ústav
    • Historický ústav
    • Masarykův ústav
    • Matematický ústav
    • Orientální ústav
    • Psychologický ústav
    • Slovanský ústav
    • Sociologický ústav
    • Ústav analytické chemie
    • Ústav anorganické chemie
    • Ústav pro českou literaturu
    • Ústav dějin umění
    • Ústav fyziky atmosféry
    • Ústav fotoniky a elektroniky
    • Ústav fyzikální chemie J. H.
    • Ústav fyziky materiálů
    • Ústav geoniky
    • Ústav pro hydrodynamiku
    • Ústav chemických procesů
    • Ústav informatiky
    • Ústav pro jazyk český
    • Ústav jaderné fyziky
    • Ústav makromolekulární chemie
    • Ústav pro soudobé dějiny
    • Ústav přístrojové techniky
    • Ústav státu a práva
    • Ústav struktury a mechaniky hornin
    • Ústav teoretické a aplikované mechaniky
    • Ústav teorie informace a automatizace
    • Ústav výzkumu globální změny
Pokročilé vyhledávání
  • Domovská stránka
  • Vyhledávání: "Il Gyu Jung"
  • Navrhnout nákup titulu
Zobrazeno 1 - 2 of 2 pro vyhledávání: '"Il Gyu Jung"'
1
Bottom-up Filling of through Silicon Vias Using Galvanostatic Cu Electrodeposition with the Modified Organic Additives
Autor: Donghyung Lee, Jae Jeong Kim, Seunghoe Choe, Myung Jun Kim, Won Gu Cho, Hoe Chul Kim, Il Gyu Jung, Ji Yoon Cho
Publikováno v: Journal of The Electrochemical Society. 162:D109-D114
The chemically synthesized suppressor and leveler are added together with bis(3-sulfopropyl)disulfide (SPS) to galvanostatically fill up the trenches with the similar dimensions to those of the through silicon vias. In our previous study, the deposit
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::53761616c7ae7348a7e5c4152a7874f6
https://doi.org/10.1149/2.0561503jes
Zobrazit plný text záznamu
2
Cu Bottom-Up Filling for Through Silicon Vias with Growing Surface Established by the Modulation of Leveler and Suppressor
Autor: Hoe Chul Kim, Donghyung Lee, Il Gyu Jung, Myung Jun Kim, Seunghoe Choe, Ji Yoon Cho, Jae Jeong Kim, Won-Seob Cho
Publikováno v: Journal of The Electrochemical Society. 160:D3221-D3227
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3481875a2361a601b90d23c9a5c34c53
https://doi.org/10.1149/2.037312jes
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

  • RSS
  • Poslat e-mailem

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje
Pouze tištěné dokumenty
Zahrnout EIZ
  • 1 adsorption
  • 1 amine gas treating
  • 1 business
  • 1 business.industry
  • 1 chemistry.chemical_classification
  • 1 deposition (law)
  • 1 inorganic chemistry
  • 1 law
  • 1 law.invention
  • 1 microstructure
  • 1 modulation
  • 1 optoelectronics
  • 1 polymer
  • 1 selective adsorption
  • 1 suppressor
  • 1 surface (mathematics)
  • 2 OpenAIRE

Možnosti vyhledávání

  • Tematická mapa
  • Historie vyhledávání
  • Pokročilé vyhledávání

Objevte více

  • Abecední procházení

Hledáte pomoc?

  • Tipy pro vyhledávání
načítá se......