Zobrazeno 1 - 10 of 306 pro vyhledávání: '"Il'inskaya, N."'
1
Akademický článek
Post-Growth Technology of Multi-Junction Photovoltaic Converters Based on A3B5 Heterostructures.
Autor: Malevskaya, A. V.1 (AUTHOR) amalevskaya@mail.ioffe.ru, Il'inskaya, N. D.1 (AUTHOR), Zadiranov, Yu. M.1 (AUTHOR), Blokhin, A. A.1 (AUTHOR), Malevskii, D. A.1 (AUTHOR), Pokrovskii, P. V.1 (AUTHOR)
Publikováno v: Technical Physics. Nov2023, Vol. 68 Issue 11, p492-496. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Investigation of Methods for Texturing Light-Emitting Diodes Based on AlGaAs/GaAs Heterostructures.
Autor: Malevskaya, A. V.1 (AUTHOR) amalevskaya@mail.ioffe.ru, Il'inskaya, N. D.1 (AUTHOR), Kalyuzhnyy, N. A.1 (AUTHOR), Malevskiy, D. A.1 (AUTHOR), Zadiranov, Yu. M.1 (AUTHOR), Pokrovskiy, P. V.1 (AUTHOR), Blokhin, A. A.1 (AUTHOR), Andreeva, A. V.1 (AUTHOR)
Publikováno v: Semiconductors. Aug2023, Vol. 57 Issue 8, p359-363. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Akademický článek
Electrochemical Deposition of Contact Materials in PostGrowth Technology of Photovoltaic Converters.
Autor: Malevskaya, A. V.1 (AUTHOR) amalevskaya@mail.ioffe.ru, Il'inskaya, N. D.1 (AUTHOR), Malevskii, D. A.1 (AUTHOR), Pokrovskii, P. V.1 (AUTHOR)
Publikováno v: Semiconductors. Jan2022, Vol. 56 Issue 1, p18-21. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Edge-Termination Technique for High-Voltage Mesa-Structure 4H-SiC Devices: Negative Beveling.
Autor: Lebedeva, N. M.1 (AUTHOR) Natali_lebedeva@mail.ioffe.ru, Il'inskaya, N. D.1 (AUTHOR), Ivanov, P. A.1 (AUTHOR)
Publikováno v: Semiconductors. Feb2020, Vol. 54 Issue 2, p258-262. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Micro-profiling of 4H-SiC by Dry Etching to Form a Schottky Barrier Diode.
Autor: Il'inskaya, N. D.1 (AUTHOR), Lebedeva, N. M.1 (AUTHOR) Natali_lebedeva@mail.ioffe.ru, Zadiranov, Yu. M.1 (AUTHOR), Ivanov, P. A.1 (AUTHOR), Samsonova, T. P.1 (AUTHOR), Kon'kov, O. I.1 (AUTHOR), Potapov, A. S.1 (AUTHOR)
Publikováno v: Semiconductors. Jan2020, Vol. 54 Issue 1, p144-149. 6p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje