Zobrazeno 1 - 10
of 603
pro vyhledávání: '"Ikonić, P."'
Autor:
Kim, Youngmin, Assali, Simone, Ge, Junyu, Koelling, Sebastian, Luo, Manlin, Luo, Lu, Joo, Hyo-Jun, Tan, James, Shi, Xuncheng, Ikonic, Zoran, Li, Hong, Moutanabbir, Oussama, Nam, Donguk
Semiconductor nanowires have shown great potential for enabling ultra-compact lasers for integrated photonics platforms. Despite the impressive progress in developing nanowire lasers, their integration into Si photonics platforms remains challenging
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2410.08580
Autor:
Novak Stanojević, Aleksandar Demić, Nikola Vuković, Paul Dean, Zoran Ikonić, Dragan Indjin, Jelena Radovanović
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 14, Iss 1, Pp 1-13 (2024)
Abstract In this work, we investigate the effects of n and p-type background doping, interface composition diffusion (interdiffusion) of the barrier material and layer thickness variation during molecular beam epitaxy (MBE) growth on transport charac
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a9129d27a7f94961821d8b0638fd5a4a
Autor:
Joo, Hyo-Jun, Kim, Youngmin, Burt, Daniel, Jung, Yongduck, Zhang, Lin, Chen, Melvina, Parluhutan, Samuel Jior, Kang, Dong-Ho, Lee, Chulwon, Assali, Simone, Ikonic, Zoran, Moutanabbir, Oussama, Cho, Yong-Hoon, Tan, Chuan Seng, Nam, Donguk
GeSn alloys have been regarded as a potential lasing material for a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS)-compatible light source. Despite their remarkable progress, all GeSn lasers reported to date have large device footprints and active ar
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2108.06142
Autor:
Kim, Youngmin, Assali, Simone, Burt, Daniel, Jung, Yongduck, Joo, Hyo-Jun, Chen, Melvina, Ikonic, Zoran, Moutanabbir, Oussama, Nam, Donguk
GeSn alloys are promising candidates for complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS)-compatible, tunable lasers. Relaxation of residual compressive strain in epitaxial GeSn has recently shown promise in improving the lasing performance. However, t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2106.08874
Autor:
Reboud, V., Buca, D., Sigg, H., Hartmann, J. M., Ikonic, Z., Pauc, N., Calvo, V., Rodriguez, P., Chelnokov, A.
Silicon photonics in the near-Infra-Red, up to 1.6 um, is already one of key technologies in optical data communications, particularly short-range. It is also being prospected for applications in quantum computing, artificial intelligence, optical si
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2012.10220
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Elbaz, A., Buca, D., Driesch, N. Von den, Pantzas, K., Patriarche, G., Zerounian, N., Herth, E., Checoury, X., Sauvage, S., Sagnes, I., Foti, A., Ossikovski, R., Hartmann, J. -M., Boeuf, F., Ikonic, Z., Boucaud, P., Grutzmacher, D., Kurdi, M. El
GeSn alloys are the most promising semiconductors for light emitters entirely based on group IV elements. Alloys containing more than 8 at.% Sn have fundamental direct band-gaps, similar to conventional III-V semiconductors and thus can be employed f
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2001.04927