Thickness modulation and strain relaxation in strain-compensated InGaP/InGaP multiple-quantum-well structure grown by metalorganic molecular beam epitaxy on GaAs (100) substrate

Autor: Mitsuhara, M., Watanabe, N., Yokoyama, H., Iga, R., Shigekawa, N.

Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 1 September 2016 449:86-91

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Fine Grain Body-Biasing: A strategy for asynchronous circuits

Autor: Ferreira De Paiva Leite, Thiago, Iga, R., Engels, Sylvain, Possamai Bastos, Rodrigo, Fesquet, Laurent

Publikováno v: Application, Design and Technology Conference (ADTC 2018)
Application, Design and Technology Conference (ADTC 2018), Jun 2018, Grenoble, France
Application, Design and Technology Conference (ADTC'2018)
Application, Design and Technology Conference (ADTC'2018), Jun 2018, Grenoble, France

Exhibition; International audience

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::7f8d9a4fe3c5bc5bab1863013dda5c75
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03418853

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.