Zobrazeno 1 - 10
of 224
pro vyhledávání: '"Ieong M"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rim, K., Anderson, R., Boyd, D., Cardone, F., Chan, K., Chen, H., Christansen, S., Chu, J., Jenkins, K., Kanarsky, T., Koester, S., Lee, B.H., Lee, K., Mazzeo, V., Mocuta, A., Mocuta, D., Mooney, P.M., Oldiges, P., Ott, J., Ronsheim, P., Roy, R., Steegen, A., Yang, M., Zhu, H., Ieong, M., Wong, H.-S.P.
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2003 47(7):1133-1139
Autor:
Woolard, D. L., Tian, H., Littlejohn, M. A., Kim, K. W., Trew, R. J., Ieong, M. K., Tang, T. W.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 11/15/1993, Vol. 74 Issue 10, p6197, 11p, 8 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Itoh, Kiyoo, Lee, Thomas, Sakurai, Takayasu, Sansen, Willy M. C., Schmitt-Landsiedel, Doris, Dimoulas, Athanasios, Gusev, Evgeni, McIntyre, Paul C., Heyns, Marc, Shang, H., Gusev, E. P., Frank, M. M., Chu, J. O., Bedell, S., Gribelyuk, M., Ott, J. A., Wang, X., Guarini, K. W., Ieong, M.
Publikováno v:
Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors; 2007, p315-332, 18p
Autor:
Fang, S., Tan, S.S., Dyer, T., Luo, Z., Yan, J., Kim, J.J., Rovedo, N., Lun, Z., Yuan, J., Chen, X., Chan, V., Tang, T.J., Amos, R., Ng, H., Ieong, M., Iyer, S., Crowder, S.
Publikováno v:
2006 8th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology Proceedings; 2006, p108-111, 4p
Autor:
Zhibin Ren, Ieong, M., Cai, J., Holt, J., Boyd, D., Mo, R., Yin, H., Dokumaci, O., Kawanaka, S., Sato, T., Ronsheim, P., Wang, J., Sung, C.Y., Haensch, W.
Publikováno v:
IEEE International Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest; 2005, p733-736, 4p
Autor:
Singh, D.V., Sleight, J.W., Hergenrother, J.M., Ren, Z., Jenkins, K.A., Dokumaci, O., Black, L., Chang, J.B., Nakayama, H., Chidambarrao, D., Venigalla, R., Pan, J., Natzle, W., Tessier, B.L., Nomura, A., Ott, J.A., Ieong, M., Haensch, W.
Publikováno v:
IEEE International Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest; 2005, p505-508, 4p
Autor:
Wong, H.-S.P., Doris, B., Gusev, E., Ieong, M., Jones, E.C., Kedzierski, J., Ren, Z., Rim, K., Shang, H.
Publikováno v:
2003 International Symposium on VLSI Technology, Systems & Applications. Proceedings of Technical Papers. (IEEE Cat. No.03TH8672); 2003, p13-16, 4p