Thickness-dependent crossover from charge- to strain-mediated magnetoelectric coupling in ferromagnetic/piezoelectric oxide heterostructures

Autor: Spurgeon, SR, Sloppy, JD, Kepaptsoglou, DM, Balachandran, PV, Nejati, S, Karthik, J, Damodaran, AR, Johnson, CL, Ambaye, H, Goyette, R, Lauter, V, Ramasse, QM, Idrobo, JC, Lau, KKS, Lofland, SE, Rondinelli, JM, Martin, LW, Taheri, ML

Publikováno v: ACS nano, vol 8, iss 1
Spurgeon, SR; Sloppy, JD; Kepaptsoglou, DM; Balachandran, PV; Nejati, S; Karthik, J; et al.(2014). Thickness-dependent crossover from charge-to strain-mediated magnetoelectric coupling in ferromagnetic/piezoelectric oxide heterostructures. ACS Nano, 8(1), 894-903. doi: 10.1021/nn405636c. UC Berkeley: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/4zn9j1bf

Magnetoelectric oxide heterostructures are proposed active layers for spintronic memory and logic devices, where information is conveyed through spin transport in the solid state. Incomplete theories of the coupling between local strain, charge, and

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::23bf784045afffb977983523118a952a
https://escholarship.org/uc/item/4zn9j1bf

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.