Zobrazeno 1 - 10
of 106
pro vyhledávání: '"Ideality factors"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Two types of Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) solar cells, both designed for implementation in CIGS modules, were subjected to temperatures between 25C and 105C. Simultaneous exposure to AM1.5 illumination allowed the measurement of their electrical parameters at
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dris___00893::56f78b7c6874de3403cf40d88d61dd15
http://resolver.tudelft.nl/uuid:f17ed453-e5f5-48b3-8eef-a10f0684da44
http://resolver.tudelft.nl/uuid:f17ed453-e5f5-48b3-8eef-a10f0684da44
Autor:
Miro Zeman, Zeger Vroon, A. Liakopoulou, Mirjam Theelen, Nicolas Barreau, F. Daume, Henk Steijvers, Vincent Hans
Publikováno v:
Journal of Renewable and Sustainable Energy, 2, 9
Two types of Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) solar cells, both designed for implementation in CIGS modules, were subjected to temperatures between 25C and 105C. Simultaneous exposure to AM1.5 illumination allowed the measurement of their electrical parameters at
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::51cf76fbb7a41d30dc1f2c40fa735824
http://resolver.tudelft.nl/uuid:f17ed453-e5f5-48b3-8eef-a10f0684da44
http://resolver.tudelft.nl/uuid:f17ed453-e5f5-48b3-8eef-a10f0684da44
Publikováno v:
Microelectronic Engineering
Electrical properties of Ta/n-Si and Ta/p-Si Schottky barrier diodes obtained by sputtering of tantalum (Ta) metal on semiconductors have been investigated. The characteristic parameters of these contacts like barrier height, ideality factor and seri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a513175bcf8adc5487948c5869b58b04
https://doi.org/10.1016/j.mee.2010.04.003
https://doi.org/10.1016/j.mee.2010.04.003
