Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"IV-VI narrow gap semiconductors"'
Publikováno v:
New Journal of Physics, Vol 18, Iss 1, p 013047 (2016)
The transverse Nernst-Ettingshausen (N-E) effect and electron mobility in Pb _1−x Sn _x Se alloys are studied experimentally and theoretically as functions of temperature and chemical composition in the vicinity of vanishing energy gap E _g . The s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/239f8e9e1522486ebdcdf092fc1ba05f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.