Zobrazeno 1 - 10
of 108
pro vyhledávání: '"IV-VI narrow gap semiconductors"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
CIÊNCIAVITAE
CIÊNCIAVITAE
The authors study the energy spectrum of a single spherical quantum dot of narrow-gap IV-VI material embedded within a host IV-VI material of different bandgap. The calculations of the energy levels as a function of the dot radius are performed. When
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7b387a24b60c41eb5d813adc7468433c
https://doi.org/10.1088/0268-1242/8/1s/055
https://doi.org/10.1088/0268-1242/8/1s/055
Publikováno v:
MRS Proceedings. 198
We present new results on structural and electronic properties of epitaxial lead chalcogenides on Si-substrates. A stacked MBE-grown CaF2/BaF2 buffer of 200 nm thickness serves to overcome the large lattice- and thermal expansion mismatches. Lead cha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::216fa1e2da96d1d579e6a03a727529aa
https://doi.org/10.1557/proc-198-451
https://doi.org/10.1557/proc-198-451
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Optics Express. 12:401
Pb(1) (-x)Ge(x)Te is a pseudobinary alloy of IV-VI narrow-gap semiconductor, of which maximum refractive index corresponds to the ferroelectric phase transition. Since the temperature coefficient of refractive index can be tunable from negative to po
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9edcc1d5af0d2656fdb122c386deb58d
https://doi.org/10.1364/opex.12.000401
https://doi.org/10.1364/opex.12.000401
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology; January 1993, Vol. 8 Issue: 1 pS252-S254, 3p