Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"ITO/IGZO energy band structure"'
Autor:
Sang Yeon Park, Younggon Choi, Yong Hyeok Seo, Hojun Kim, Dong Hyun Lee, Phuoc Loc Truong, Yongmin Jeon, Hocheon Yoo, Sang Jik Kwon, Daeho Lee, Eou-Sik Cho
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 1, p 103 (2024)
Bottom-gate thin-film transistors (TFTs) with n-type amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO) active channels and indium-tin oxide (ITO) source/drain electrodes were fabricated. Then, an ultraviolet (UV) nanosecond pulsed laser with a wavelength
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8b0e7fbcbd3f454a8f976bc99e5625b5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.