Zobrazeno 1 - 10
of 389
pro vyhledávání: '"ISFETs"'
Publikováno v:
Chemosensors, Vol 12, Iss 7, p 134 (2024)
To facilitate the utility of field effect transistor (FET)-type sensors, achieving sensitivity enhancement beyond the Nernst limit is crucial. Thus, this study proposed a novel approach for the development of ferroelectric FETs (FeFETs) using lead zi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/771c4140860949a89a8f3a59f7a376fc
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Electrochemical Science Advances, Vol 3, Iss 3, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Over the past decades, considerable development and improvement can be observed in the area of the ion‐sensitive field‐effect transistor (ISFET) for biosensing applications. The mature semiconductor industry provides a solid foundation f
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5d016e63f34e4c71b1b8afe09e10197c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yann Sprunger, Luca Capua, Thomas Ernst, Sylvain Barraud, Didier Locca, Adrian Ionescu, Ali Saeidi
Publikováno v:
Biosensors, Vol 13, Iss 10, p 908 (2023)
In this paper, we propose a novel approach to utilize silicon nanowires as high-sensitivity pH sensors. Our approach works based on fixing the current bias of silicon nanowires Ion Sensitive Field Effect Transistors (ISFETs) and monitor the resulting
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/45c9e09a87514824a2026777e4efc8f0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Md. Sazzadur Rahman, Rokaia Laizu Naima, Khatuna Jannatun Shetu, Md. Mahabub Hossain, M. Shamim Kaiser, A. S. M. Sanwar Hosen, Md. Abdul Latif Sarker, Kelvin J. A. Ooi
Publikováno v:
Biosensors, Vol 11, Iss 6, p 178 (2021)
The use of deoxyribonucleic acid (DNA) hybridization to detect disease-related gene expression is a valuable diagnostic tool. An ion-sensitive field-effect transistor (ISFET) with a graphene layer has been utilized for detecting DNA hybridization. Si
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1a852a3efa15460990c181766451ab11
Autor:
Francesco Bellando, Leandro Julian Mele, Pierpaolo Palestri, Junrui Zhang, Adrian Mihai Ionescu, Luca Selmi
Publikováno v:
Sensors, Vol 21, Iss 5, p 1779 (2021)
Ion-sensitive field-effect transistors (ISFETs) form a high sensitivity and scalable class of sensors, compatible with advanced complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) processes. Despite many previous demonstrations about their merits as low-p
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/86be8c6ab61f47a4bd655813334d7fc0