Zobrazeno 1 - 10
of 5 596
pro vyhledávání: '"ISFETs"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Moussavi, Elmira, Sisejkovic, Dominik, Brings, Fabian, Kizatov, Daniyar, Singh, Animesh, Vu, Xuan Thang, Ingebrandt, Sven, Leupers, Rainer, Pachauri, Vivek, Merchant, Farhad
Digital keys are a fundamental component of many hardware- and software-based security mechanisms. However, digital keys are limited to binary values and easily exploitable when stored in standard memories. In this paper, based on emerging technologi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2202.12085
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ACS Omega, Vol 8, Iss 51, Pp 48756-48763 (2023)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e71bf88e60004e148d6dd3ae3d8a1694
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yann Sprunger, Luca Capua, Thomas Ernst, Sylvain Barraud, Didier Locca, Adrian Ionescu, Ali Saeidi
Publikováno v:
Biosensors, Vol 13, Iss 10, p 908 (2023)
In this paper, we propose a novel approach to utilize silicon nanowires as high-sensitivity pH sensors. Our approach works based on fixing the current bias of silicon nanowires Ion Sensitive Field Effect Transistors (ISFETs) and monitor the resulting
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/45c9e09a87514824a2026777e4efc8f0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Daniel Tomaszewsk, Chia-Ming Yang, Bohdan Jaroszewicz, Michał Zaborowski, Piotr Grabiec, Dorota G. Pijanowska
Publikováno v:
Journal of Telecommunications and Information Technology, Iss 3 (2023)
Methodology of electrical characterization of ISFETs has been described. It is based on a three-stage approach. First, electrical measurements of ISFET-like MOSFETs and extraction of basic parameters of the MOSFET compact model are performed. Next, m
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/beb7e859829f4a14a817686092c2bb78