Zobrazeno 1 - 10
of 572
pro vyhledávání: '"IRRADIATED SILICON"'
Publikováno v:
Sensors, Vol 23, Iss 12, p 5725 (2023)
The acceptor removal process is the most detrimental effect encountered in irradiated boron-doped silicon. This process is caused by a radiation-induced boron-containing donor (BCD) defect with bistable properties that are reflected in the electrical
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5c5e3a45f2c14aac9f85bc6f775439f6
Publikováno v:
Sensors; Volume 23; Issue 12; Pages: 5725
The acceptor removal process is the most detrimental effect encountered in irradiated boron-doped silicon. This process is caused by a radiation-induced boron-containing donor (BCD) defect with bistable properties that are reflected in the electrical
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=multidiscipl::849dacdf115399a52a813e0a3edabcc9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sathishkumar Dhayalan, Roger Loo, Andriy Hikavyy, Johan Lauwaert, Eddy Simoen, Henk Vrielinck, Erik Rosseel
Publikováno v:
ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY
This paper reports on a Deep-Level Transient Spectroscopy (DLTS) study of the electrically active defects in similar to 100 nm Si: C stressors, formed by chemical vapor deposition on p-type Czochralski silicon substrates. In addition, the impact of a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::96230c2947c85adf89e970f69fa39cda
https://doi.org/10.1149/2.0211705jss
https://doi.org/10.1149/2.0211705jss
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.