Zobrazeno 1 - 10 of 18 366 pro vyhledávání: '"INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORS"'
1
Akademický článek
Optimizing Insulated-Gate Bipolar Transistors' Lifetime Estimation: A Critical Evaluation of Lifetime Model Adjustments Based on Power Cycling Tests.
Autor: Alavi, Omid1,2,3 (AUTHOR) omid.alavi@uhasselt.be, De Ceuninck, Ward1,2,3 (AUTHOR) michael.daenen@uhasselt.be, Daenen, Michaël1,2,3 (AUTHOR)
Publikováno v: Energies (19961073). Jun2024, Vol. 17 Issue 11, p2616. 23p.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Adaptive Residual Useful Life Prediction for the Insulated-Gate Bipolar Transistors with Pulse-Width Modulation Based on Multiple Modes and Transfer Learning.
Autor: Deng, Wujin1 (AUTHOR) dwj058@126.com, Gao, Yan1 (AUTHOR) gy@sues.edu.cn, Song, Wanqing2 (AUTHOR) swqls@126.com, Zio, Enrico3,4 (AUTHOR) enrico.zio@polimi.it, Li, Gaojian1 (AUTHOR) 15821966669@139.com, Liu, Jin1 (AUTHOR) flyingpine@sina.com.cn, Kudreyko, Aleksey5 (AUTHOR) akudreyko@bashgmu.ru
Publikováno v: Fractal & Fractional. Aug2023, Vol. 7 Issue 8, p614. 21p.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Junction Temperature Prediction of Insulated-Gate Bipolar Transistors in Wind Power Systems Based on an Improved Honey Badger Algorithm.
Autor: Zhou, Chao1,2 (AUTHOR), Gao, Bing3 (AUTHOR) gaobing7365@gmail.com, Yang, Haiyue3 (AUTHOR), Zhang, Xudong4 (AUTHOR), Liu, Jiaqi1,2 (AUTHOR), Li, Lingling1,2 (AUTHOR)
Publikováno v: Energies (19961073). Oct2022, Vol. 15 Issue 19, p7366. 19p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Digital-Twin-Driven Intelligent Insulated-Gate Bipolar Transistor Production Lines.
Autor: Zhang, Xiao1 (AUTHOR) 2022106520001@whu.edu.cn, Liu, Xun1 (AUTHOR) xun.liu@whu.edu.cn, Song, Yifan2 (AUTHOR) d202280331@hust.edu.cn, Li, Xuehan3 (AUTHOR) xhli2022@outlook.com, Huang, Wei4 (AUTHOR) wei.huang@ac-semi.com, Zhou, Yang4 (AUTHOR) yang.zhou@ac-semi.com, Liu, Sheng1,2,4,5 (AUTHOR) yang.zhou@ac-semi.com
Publikováno v: Sensors (14248220). Jan2024, Vol. 24 Issue 2, p612. 21p.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Circuit simulation-based comparison of power electronics devices in a five-level converter for UAV applications.
Autor: Bottaro, Enrico Alfredo1 (AUTHOR), Ventura, Cristina1 (AUTHOR), Rizzo, Santi Agatino1 (AUTHOR) santi.rizzo@unict.it
Publikováno v: AIMS Energy. 2024, Vol. 12 Issue 4, p1-19. 19p.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Nitrogen-Doped Czochralski Silicon Wafers as Materials for Conventional and Scaled Insulated Gate Bipolar Transistors.
Autor: Kajiwara, Kaoru1 (AUTHOR) kkajiwa1@sumcosi.com, Eriguchi, Kazutaka2 (AUTHOR), Fusegawa, Kazuhiro2 (AUTHOR), Mitsugi, Noritomo2 (AUTHOR), Samata, Shuichi2 (AUTHOR), Torigoe, Kazuhisa2 (AUTHOR), Harada, Kazuhiro1 (AUTHOR), Hourai, Masataka2 (AUTHOR), Nishizawa, Shin-Ichi3 (AUTHOR)
Publikováno v: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. Nov2022, Vol. 35 Issue 4, p620-625. 6p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Electrically assisted stereolithography 3D printing of graded permittivity composites for in-situ encapsulation of insulated gate bipolar transistors (IGBTs)
Autor: Lipeng Zhong, Wei Liu, Youqing Sun, Feng Wang, She Chen, Qiuqin Sun, Yufeng Liu, Chao Yuan, Xiaopeng Li, Guanghai Fei
Publikováno v: Materials & Design, Vol 233, Iss , Pp 112220- (2023)
Insulated gate bipolar transistors (IGBTs) find applications in diverse fields, such as integrated motor drives, controllable power systems, and electric vehicles. However, traditional IGBT encapsulation materials are unsuitable for high-voltage appl
Externí odkaz: https://doaj.org/article/612300dd81e6449aa34b2e11bb8205a3
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje