Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"INDUCED LATERAL DAMAGE"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 10, Iss 1, Pp 1-15 (2020)
Scientific Reports
Scientific Reports
Scanning Spreading Resistance Microscopy is a well-established technique for obtaining quantitative two- and three-dimensional carrier profiles in semiconductor devices with sub-nm spatial resolution. However, for sub-100 nm devices, the use of focus
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f4ac2bf8f03793304753a0d7bcb75b86
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/32913186
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/32913186
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.