Zobrazeno 1 - 10
of 186
pro vyhledávání: '"ILLUMINATION STRESS"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 331-337 (2024)
Degradation phenomena featured with positive shift of the on-state transfer curve are reported for the amorphous InGaZnO (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs) under negative bias illumination stress (NBIS). Such a positive shift is absent when the ga
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8805708bfb204cdda005a35836e7a788
Publikováno v:
Advanced Photonics Research, Vol 5, Iss 4, Pp n/a-n/a (2024)
Amorphous tin oxide (a‐SnOx) is a potential transparent oxide semiconductor candidate for future large‐area electronic applications. The thin‐film transistor (TFT) mobilities reach ≈100 cm2 Vs−1, a mobility higher than other multiple cation
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5eec9573d56441bfb56cac1896f20312
Autor:
Wanpeng Zhao, Ning Zhang, Xinyu Zhang, Chong Yao, Junfeng Zhang, Shurong Dong, Yang Liu, Zhi Ye, Jikui Luo
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 927-932 (2022)
The theory of oxygen vacancy related deep energy defects and valence band offset (VBO) between gate insulator and channel codetermining the threshold voltage shift $(\Delta {V}_{\mathbf {\mathrm {TH}}})$ of ZnO thin film transistor under negative gat
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a3b5ac50736241df939f3e61540d95dc
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dapeng Wang, Mamoru Furuta
Publikováno v:
Beilstein Journal of Nanotechnology, Vol 9, Iss 1, Pp 2573-2580 (2018)
The photoleakage current and the negative bias and illumination stress (NBIS)-induced instability in amorphous InGaZnO thin-film transistors (a-IGZO TFTs) with various active layer thicknesses (TIGZO) were investigated. The photoleakage current was f
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6f2443ca355c4ebd9e8b0c1ae7d56f1d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.