Zobrazeno 1 - 10
of 77
pro vyhledávání: '"III-nitride semiconductor"'
Autor:
Muhammed Aktas, Szymon Grzanka, Łucja Marona, Jakub Goss, Grzegorz Staszczak, Anna Kafar, Piotr Perlin
Publikováno v:
Materials, Vol 17, Iss 18, p 4502 (2024)
This work reports on the possibility of sustaining a stable operation of polarization-doped InGaN light emitters over a particularly broad temperature range. We obtained efficient emission from InGaN light-emitting diodes between 20 K and 295 K and f
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ff6ce8f0e8454dba8534336057b4e570
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 51, Iss , Pp 106749- (2023)
Self-heating effects in high-power III-nitride semiconductor electronics and optoelectronic devices limit their practical applications, while phonon modulation can be used to alleviate heat dissipation problems. In this paper, we report our efforts t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f06d14b4289344b980c8f8de55587548
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 5, Iss 6, Pp 1051-1056 (2010)
Abstract The release and transfer of GaN epilayers to other substrates is of interest for a variety of applications, including heterogeneous integration of silicon logic devices, III–V power devices and optical devices. We have developed a simple w
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a5876f9052014037bb3c13a16b328d79
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 5, Iss 11, Pp 1788-1794 (2010)
Abstract Phosphor-free apple-white light emitting diodes have been fabricated using a dual stacked InGaN/GaN multiple quantum wells comprising of a lower set of long wavelength emitting indium-rich nanostructures incorporated in multiple quantum well
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/592bc90a62d04c20a892cc474cdd419a